[發明專利]用于輸送工藝氣體至基板的方法和設備有效
| 申請號: | 201380038184.4 | 申請日: | 2013-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN104471678B | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發明(設計)人: | 約瑟夫·M·拉內什 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體分配管道 基板 工藝氣體 處理表面 基板支座 方法和設備 處理基板 處理腔室 處理空間 基板移動 處理腔 致動器 分配 耦接 室內 移動 | ||
1.一種用于處理基板的設備,包括:
大致上線性的氣體分配管道,位于處理腔室的處理空間中,在基板支座上方,當所述基板位于所述基板支座上時,所述大致上線性的氣體分配管道可移動地分配工藝氣體至所述基板的處理表面;和
致動器,耦接至所述大致上線性的氣體分配管道,以相對于所述基板支座移動所述大致上線性的氣體分配管道,
其中所述致動器在線性軸向方向或在橫向、非軸向方向中的至少一者上相對于所述基板支座移動所述大致上線性的氣體分配管道,并且所述氣體分配管道的移動范圍大到所述基板的一半直徑,大到所述基板的整個直徑,或所述處理空間內的更大范圍。
2.一種用于處理基板的設備,包括:
處理腔室,具有基板支座;
加熱系統,當基板位于所述基板支座上時,所述加熱系統提供熱能至所述基板;
氣體入口,位于所述基板支座的第一側,當基板位于所述基板支座上時,所述氣體入口提供第一工藝氣體至所述基板的整個處理表面;
權利要求1的大致上線性的氣體分配管道,位于所述處理腔室的處理空間中,在所述基板支座上方,當所述基板位于所述基板支座上時,所述大致上線性的氣體分配管道分配第二工藝氣體至所述基板的處理表面;
權利要求1的致動器,耦接至所述大致上線性的氣體分配管道,以相對于所述基板支座移動所述大致上線性的氣體分配管道;和
排氣歧管,位于所述基板支座相對于所述氣體入口的第二側,以從所述處理腔室排出所述第一工藝氣體和所述第二工藝氣體。
3.如權利要求1或2所述的設備,進一步包括:
密封件,介于所述大致上線性的氣體分配管道和所述處理腔室的表面之間,以密封所述處理腔室中的開口,其中所述大致上線性的氣體分配管道設置于穿過所述開口,所述密封件形成介于所述處理腔室的所述處理空間和所述處理腔室中的所述開口之間的密封。
4.如權利要求3所述的設備,其中所述密封件為柔性材料、波紋管、鐵磁流體密封件或差分泵滑動密封件中的至少一者。
5.如權利要求1或2所述的設備,其中所述大致上線性的氣體分配管道由石英制作。
6.如權利要求1或2所述的設備,其中所述大致上線性的氣體分配管道具有一或更多個出口,所述一或更多個出口沿著所述大致上線性的氣體分配管道的長度設置,以提供所述工藝氣體至所述基板,其中所述一或更多個出口為線性排列的。
7.如權利要求1或2所述的設備,進一步包括控制器,所述控制器耦接至所述致動器并且配置為控制所述大致上線性的氣體分配管道的移動。
8.如權利要求1或2所述的設備,進一步包括多個大致上線性的氣體分配管道以及對應的多個致動器,所述多個大致上線性的氣體分配管道設置于所述處理空間中、所述基板上方,所述多個致動器耦接至所述多個大致上線性的氣體分配管道中的各別者。
9.如權利要求1或2所述的設備,其中所述大致上線性的氣體分配管道被設置于平面中并且被局限于僅在所述平面中移動。
10.如權利要求9所述的設備,所述平面大致上平行于權利要求2所述的基板支座所界定的平面。
11.如權利要求1所述的設備,進一步包括以下中的一或更多者:
加熱元件,位于所述氣體分配管道內或周圍;
加熱管,位于所述大致上線性的氣體分配管道內;
其中所述大致上線性的氣體分配管道被制作為杜瓦管,以將所述大致上線性的氣體分配管道的內部與外部環境熱絕緣;
其中所述大致上線性的氣體分配管道由吸收能量的材料所制作,所述能量來自于設置于所述腔室內的其他能量源,以被動地控制所述工藝氣體的溫度;或
其中所述大致上線性的氣體分配管道由具有高導熱率的材料制作,并且被耦接到散熱片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380038184.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于制備甲醇的方法與反應系統
- 下一篇:具有噪聲檢測和響度下降檢測的響度控制
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





