[發明專利]用于OLED的透明的所支撐電極

無效

• 申請號: 201380038012.7
• 申請日: 2013-07-16
• 公開（公告）號: CN104471738A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: S.馬佐耶;F.利恩哈特;V.紹維內
• 申請（專利權）人: 法國圣戈班玻璃廠
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧永杰;劉春元

技術領域

本發明涉及旨在用于有機電致發光二極管中優選作為陽極的所支撐電極。

背景技術

有機電致發光二極管（OLED，英語為Organic?Light?Emitting?Diode（有機發光二極管））是包括兩個電極和薄層堆疊的光電設備，所述電極中的至少一個對于可見光透明，所述薄層堆疊包括至少一個發光層（EL層）。該發光層至少被夾在一方面的位于EL層和陰極之間的電子注入或輸運層（EIL或ETL）以及另一方面的位于EL層和陽極之間的空穴注入或輸運層（HIL或HTL）之間。

包括透明電極支撐以及與其接觸的透明電極的OLED典型地被稱作穿過襯底發射的OLED或向低處發射的OLED（底部發射OLED）。透明電極在該情況下典型為陽極。

類似地，包括不透明電極支撐的OLED被稱作向高處發射的OLED（頂部發射OLED），發射因此穿過不與支撐接觸的透明電極（一般為陰極）而進行。

超過給定電勢閾值，OLED的發光功率直接取決于陽極和陰極之間的電勢差。為了制造在其整個表面上呈現均質發光功率的大尺寸OLED，有必要盡可能限制在電流進口（一般位于OLED的邊緣處）與OLED的中心之間的歐姆降。用于限制該歐姆降的已知途徑是降低電極的方塊電阻（R_□或R_S，英語為sheet?resistance（片電阻）），典型地通過增加其厚度。

然而，電極厚度的這樣的增加當其涉及透明電極時存在重大問題。事實上，用于這些電極的材料，例如ITO（氧化銦錫），呈現不充分的光透射和非常昂貴的成本，這導致大于500nm的厚度就非常不太有意義了。實際上，ITO層不超過大約150nm。

眾所周知的是，通過給陽極加襯金屬柵格（grille）而減少或克服ITO的不充分的電導率的該問題。用于形成這樣的柵格的所選材料很好理解地是鋁，一種呈現高電導率的低成本金屬。然而，由原子朝向層的表面的熱遷移，鋁存在丘形成（英語為hillock?formation（丘形成））的問題。該現象是電子設備的可靠性的缺陷的起因。雖然這些丘的形成機制尚未很好地弄清，平常的補救辦法在于通過另一金屬（典型地為鉬）的兩個薄層來框住鋁層（參見例如文章Effect?of?Capping?Layer?on?Hillock?Formation?in?Thin?Al?Films，于Metals?and?Materials?International中，Vol.14，編號2（2008），147-150頁）。具有三層Mo-Al-Mo或Cr-Al-Cr的金屬柵格（MAM柵格）于是一般用于限制在諸如OLED之類的電光設備中ITO透明陽極的電阻率（US?2006/0154550，US?2010/0079062）。

然而，這樣的MAM柵格的使用在包括位于透明陽極外部的光提取裝置的OLED中存在相當大的問題。

在本技術中眾所周知的這樣的裝置事實上用于限制在OLED的具有高指數（indice）的層（有機層ETL/EL/HTL和透明陽極）中所發射的光的捕獲現象。一般涉及具有高指數的琺瑯，其包含位于陽極和襯底之間的漫射粗糙界面或漫射元件。在襯底中光的捕獲的類似現象存在于玻璃/空氣界面處并且可以通過等同的裝置、即漫射界面或層而被限制。當漫射界面或層位于陽極和襯底之間時，一般談論的是內部提取層（IEL，internal?extraction?layer（內部提取層）），而位于襯底外部的漫射裝置（漫射界面或層）稱為外部提取層（EEL，external?extraction?layer（外部提取層））。

這些IEL或EEL的漫射中心，通過使以低入射角的光線偏離，而使得其能夠離開其被捕獲于其中的“波導”。其被偏離，要么直接朝向OLED的外部，要么朝向內部，然后在離開OLED之前被金屬陰極反射。

在其旨在總是更加優化OLED的發光效率的研究中，申請人察覺到使用MAM柵格以用于增加陽極的電導率對于包括IEL或EEL的OLED的總體發光效率具有不利影響。