[發(fā)明專利]用于OLED的透明的所支撐電極無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380038012.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104471738A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | S.馬佐耶;F.利恩哈特;V.紹維內(nèi) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 法國(guó)圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;劉春元 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 oled 透明 支撐 電極 | ||
1.用于有機(jī)電致發(fā)光二極管的電極,接連地包括:
(a)非導(dǎo)體襯底(1),透明或半透明,折射指數(shù)被包括在1.3和1.6之間,
(b)透明或半透明的電極層(2),其由透明或半透明的導(dǎo)體氧化物或者由透明或半透明的導(dǎo)體有機(jī)聚合物形成,以及
(c)金屬線的連續(xù)網(wǎng)(3),其沉積在透明電極層(2)上,
其特征在于,所述電極還包括:
(d)作為光漫射裝置的漫射半透明層(4),其具有被包括在1.7和2.4之間的折射指數(shù),位于非導(dǎo)體襯底(a)和電極層(b)之間,
并且特征在于,金屬線的連續(xù)網(wǎng)(3)至少在與電極層(2)的接觸界面處由在可見(jiàn)光譜的至少一部分上具有至少等于80%的反射率的金屬或金屬合金構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極,其特征在于,在柵格與電極層(2)的界面處的金屬或金屬合金選自銀、鋁和基于銀或鋁的合金,其具有至少等于80%的可見(jiàn)光平均反射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電極,其特征在于,金屬線的網(wǎng)包括具有三層Mo-Al-Mo或Cr-Al-Cr(MAM)的結(jié)構(gòu),具有被包括在30和100nm之間的厚度的由銀制成或由鋁制成或基于銀或鋁的層被插入在MAM結(jié)構(gòu)和透明陽(yáng)極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電極,其特征在于,金屬線的連續(xù)網(wǎng)(3)包括第一層,其與電極層(2)接觸,由銀或由基于銀的合金構(gòu)成,厚度被包括在30和100nm之間,并且在該第一層上,有由鋁構(gòu)成的第二層,其厚度被包括在100和500nm之間。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電極,其特征在于,由金屬線的連續(xù)網(wǎng)(3)對(duì)電極層(2)的活性區(qū)的遮蔽率被包括在5和50%之間、優(yōu)選地在10和35%之間、特別地在15和30%之間。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電極,其特征在于,金屬線的連續(xù)網(wǎng)(3)被鈍化層覆蓋。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電極,其特征在于,透明或半透明的電極層(2)是陽(yáng)極層并且呈現(xiàn)被包括在50和200nm之間的厚度。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電極,其特征在于,漫射半透明層(4,5)以電極表面的被包括在104至107顆粒/mm2之間的量而包含漫射顆粒。
9.有機(jī)電致發(fā)光二極管,其包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的電極,優(yōu)選地作為陽(yáng)極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光二極管,其特征在于,活性表面的面積被包括在0.02m2和1m2之間、特別地在0.05m2和0.5m2之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門(mén)適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





