[發(fā)明專利]圖案特征的分析

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380037980.6
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104470701A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于兆寧;N·倉高;G·高茲納
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;B29C33/42
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 姬利永

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2012年7月16日提交的美國臨時(shí)專利申請S/N.61/672,271的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開內(nèi)容通過引用整體結(jié)合于此。本申請還要求2013年3月13日提交的美國專利申請S/N.13/798,130的優(yōu)先權(quán)，該申請的公開內(nèi)容通過引用整體結(jié)合于此。

背景技術(shù)

壓印抗蝕劑主要地被設(shè)計(jì)成優(yōu)化其特征填充和釋放性質(zhì)；它們通常不提供足夠的機(jī)械穩(wěn)定性和抗蝕性。

附圖簡述

圖1示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的概覽的框圖。

圖2示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的概覽流程圖的框圖。

圖3示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的繼續(xù)的概覽流程圖的框圖。

圖4示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的第二繼續(xù)的概覽流程圖的框圖。

圖5A出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的旋涂抗蝕層的示例。

圖5B出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的抗蝕材料的電子束固化的示例。

圖6A出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的抗蝕劑層壓印圖案的示例。

圖6B出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的2步反色調(diào)蝕刻過程的示例。

圖6C出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的經(jīng)電子束固化的硬掩膜圖案化模板的示例。

圖7A出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的抗蝕層填充的壓印圖案特征的示例。

圖7B出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的電子束固化的示例。

圖8出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的經(jīng)固化的在結(jié)構(gòu)上轉(zhuǎn)變的抗蝕層材料分子的示例。

圖9出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的矯頑力和信號振幅對磁直徑優(yōu)勢的示例。

圖10A出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的受控的預(yù)定的電壓和劑量確定方法的示例。

圖10B出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的統(tǒng)計(jì)的尺寸和布置分布質(zhì)量分析的示例。

圖11出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的特征尺寸分布的示例。

圖12出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的評價(jià)反色調(diào)電子束固化特征布置的示例。

圖13出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的布置分布函數(shù)的示例。

圖14出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的布置誤差網(wǎng)格的示例。

圖15出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的布置評價(jià)的示例。

圖16出于說明性目的僅示出了一個(gè)實(shí)施例的標(biāo)繪的布置規(guī)律性數(shù)的示例。

詳細(xì)描述

在以下描述中，對附圖進(jìn)行了參考，附圖構(gòu)成了示例的一部分且在其中作為示例示出了可實(shí)踐本發(fā)明的具體示例。要理解，可應(yīng)用其它實(shí)施例并作出結(jié)構(gòu)改變而不會(huì)脫離本發(fā)明的范圍。

概覽：

應(yīng)當(dāng)注意，接下來的描述，例如，就電子固化反色調(diào)處理而言是出于說明性目的而進(jìn)行描述的并且下面的系統(tǒng)可應(yīng)用于任意數(shù)量和多種類型的反色調(diào)處理。

在一實(shí)施例中，在包括250Gb/in2、450Gb/in2、500Gb/in2、1Tb/in2、1.5Tb/in2和2Tb/in2到5Tb/in2的各種密度下的BPM圖案的制造利用包括濕反色調(diào)處理的“反色調(diào)”處理，在其中，富硅、抗蝕材料(諸如HSQ)被沉積(包括旋涂)在抗蝕劑圖案上并且接著通過多步反應(yīng)離子蝕刻(RIE)被回蝕以形成原件的負(fù)色調(diào)復(fù)本。

在一些實(shí)施例中，增加面密度可導(dǎo)致處理窗口的變窄，回蝕期間的特征機(jī)械不穩(wěn)定性可增加點(diǎn)布置誤差(“移動(dòng)點(diǎn)”問題)、不足的抗蝕性并且在此標(biāo)度下抗蝕劑材料的非同質(zhì)性使點(diǎn)尺寸均勻性降低。

圖1示出了一個(gè)實(shí)施例的電子固化反色調(diào)處理的概覽的框圖。圖1示出了電子固化反色調(diào)處理100，該電子固化反色調(diào)處理100以例如將抗蝕層旋涂在襯底的硬掩膜層上所制造的壓印的抗蝕劑圖案上的過程105開始。

抗蝕層覆蓋并填充了壓印的抗蝕劑圖案的圖案特征。受控的電子束劑量被用于利用受控的電子束劑量固化抗蝕層110，該受控的電子束劑量在結(jié)構(gòu)上轉(zhuǎn)變了抗蝕層材料。該固化可在旋涂玻璃(SOG)回蝕之前或之后完成，這兩個(gè)替代選擇導(dǎo)致了結(jié)果中不同的特性，但兩者均增加了圖案質(zhì)量。當(dāng)蝕刻硬掩膜材料時(shí)，電子束固化結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變正創(chuàng)建機(jī)械穩(wěn)定性并減少蝕刻區(qū)域和圖案特征位置的漂移120。利用2步反色調(diào)蝕刻過程130，實(shí)現(xiàn)了蝕刻該硬掩膜材料。第一預(yù)定義的蝕刻執(zhí)行了電子束固化的抗蝕層的回蝕以暴露壓印的抗蝕劑圖案。