[發明專利]圖案特征的分析

有效

• 申請號: 201380037980.6
• 申請日: 2013-07-15
• 公開（公告）號: CN104470701A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 于兆寧;N·倉高;G·高茲納
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;B29C33/42
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 姬利永

1.一種用于電子固化反色調處理的方法，包括：

將抗蝕層沉積到圖案化壓印的抗蝕劑層上，所述圖案化壓印的抗蝕劑層被制造到硬掩膜層上，所述硬掩膜層被沉積到襯底上；

在壓印圖案特征進入所述硬掩膜并進入所述襯底的蝕刻過程期間利用電子束劑量固化所述抗蝕層；以及

利用分析過程來量化減少的圖案特征布置漂移誤差并量化所蝕刻的壓印圖案特征的增加的圖案特征尺寸均勻性。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，抗蝕層的沉積包括氫硅倍半氧烷(HSQ)并且被配置成包括包含旋涂的沉積過程。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，其中電子束固化被配置成通過分子地轉變包括氫硅倍半氧烷(HSQ)的抗蝕層材料來增加機械穩定性以減少圖案特征布置漂移誤差并增加圖案特征尺寸均勻性，其中所述分子地轉變包括氫硅倍半氧烷(HSQ)的抗蝕層材料包括材料致密化和其體積的減少以及其折射率n的增加。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，固化包括利用包括熱、離子束、電子束、x射線、光子、UV、DUV、VUV、等離子體、微波的照射或其它類型的照射，所述照射被控制至利用分析過程以分析尺寸和布置分布所確定的預定的能量和劑量。

5.如權利要求1的方法，其特征在于，利用包括包含利用氧氣(O₂)的反應離子蝕刻(RIE)的蝕刻過程來圖案化所述硬掩膜層。

6.如權利要求1的方法，其特征在于，利用2步反色調蝕刻過程來蝕刻一圖案直至襯底包括包含利用四氟化碳(CF₄)的反應離子蝕刻(RIE)以及包含利用氧氣(O₂)的反應離子蝕刻(RIE)。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，經固化的抗蝕層和壓印的抗蝕劑層的回蝕包括利用包含利用四氟化碳(CF₄)的反應離子蝕刻(RIE)。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，電子固化電子束劑量是在第一反應離子蝕刻(RIE)之前被執行以及可替代地在第一反應離子蝕刻(RIE)之后并且在第二反應離子蝕刻(RIE)之前被執行。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子固化反色調處理可在復制半導體和包括位元圖案化介質的堆棧的過程中減少圖案特征布置漂移誤差并增加圖案特征尺寸均勻性。

10.一種設備，包括：

用于固化抗蝕層的裝置，所述抗蝕層被沉積到圖案壓印的抗蝕劑層上，所述圖案壓印的抗蝕劑層被沉積到具有沉積在其上的硬掩膜層的襯底上；

用于蝕刻經固化的圖案壓印的抗蝕劑層特征進入所述硬掩膜層以及襯底的裝置；以及

用于分析經蝕刻的、經固化的、壓印的抗蝕劑層圖案特征的布置漂移誤差和圖案特征尺寸均勻性的分布的裝置。

11.如權利要求10所述的設備，其特征在于，進一步包括用于控制利用預定的電壓和劑量的照射的電子束劑量固化的裝置，所述照射包括熱、離子束、電子束、x射線、光子、UV、DUV、VUV、等離子體、微波或其它類型的照射，所述預定的電壓和劑量的照射是利用統計的尺寸和布置分布質量分析所確定的。

12.如權利要求10所述的設備，其特征在于，進一步包括用于在結構上改變性質并且轉變包括氫硅倍半氧烷(HSQ)的抗蝕層材料的裝置，所述轉變包括材料致密化、其體積的減少以及其折射率n的增加。

13.如權利要求10所述的設備，其特征在于，進一步包括用于利用2步反色調蝕刻過程蝕刻硬掩膜和襯底的裝置，所述2步反色調蝕刻過程包括利用反應離子蝕刻(RIE)，所述反應離子蝕刻(RIE)包括利用四氟化碳(CF₄)的第一反應離子蝕刻(RIE)以及利用氧氣(O₂)的第二反應離子蝕刻(RIE)。

14.如權利要求10所述的設備，其特征在于，進一步包括用于利用電子束劑量以固化抗蝕層的裝置，所述利用電子束劑量以固化抗蝕層包括在分子水平上改變抗蝕層材料，所述在分子水平上改變抗蝕層材料包括引起原子的重新分配反應以創建交聯的“網絡”結構。