[發明專利]固體電解電容器

有效

• 申請號: 201380033676.4
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104428856B
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 小菅啓子
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01G9/032
• 分類號: H01G9/032;H01G9/07
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李逸雪

固體電解電容器(1)具備：陽極(10)、電介質層(14)、硅烷偶聯層(15)、導電性高分子層(16)、和陰極層(17)。電介質層(14)被設置在陽極(10)上。硅烷偶聯層(15)被設置在電介質層(14)上。導電性高分子層(16)被設置在硅烷偶聯層(15)上。陰極層(17)被設置在導電性高分子層(16)上。硅烷偶聯層(15)具有第1硅烷偶聯層(15a)和第2硅烷偶聯層(15b)。第1硅烷偶聯層(15a)對電介質層(14)的導電性高分子層(16)側的表面的一部分進行覆蓋。第2硅烷偶聯層(15b)在電介質層(14)的導電性高分子層(16)側的表面，對從第1硅烷偶聯層(15a)露出的部分的至少一部分進行覆蓋。

技術領域

本發明涉及固體電解電容器及其制造方法。

背景技術

近年來，隨著電子儀器的小型化，對于小型并且大容量的高頻用途電容器的需求增高。作為這種電容器，提出了一種固體電解電容器，其具備：由鉭、鈮、鈦、鋁等閥作用金屬的燒結體構成的陽極；陽極的表面被氧化而成的電介質層；和被設置在電介質層上，并由導電性高分子構成的固體電解質層。通過利用導電性高分子來構成固體電解質層，從而能夠降低固體電解電容器的等效串聯電阻(Equivalent Series Resistance：ESR)。但是，由無機材料構成的電介質層與由有機材料構成的導電性高分子層可能無法充分穩固地密接。

因此，在專利文獻1中，提出了通過利用硅烷偶聯劑對電介質層的表面進行表面處理，來提高電介質層與導電性高分子層的密接性。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平2-74021號公報

發明內容

-發明要解決的課題-

存在希望進一步改善電介質層與導電性高分子層的密接性的迫切期望。

本發明的主要目的在于，提供一種電介質層與導電性高分子層的密接性高，在長時間使用后容量難以降低的固體電解電容器。

-用于解決課題的手段-

本發明涉及的固體電解電容器具備：陽極、電介質層、硅烷偶聯層、導電性高分子層、和陰極層。電介質層被設置在陽極上。硅烷偶聯層被設置在電介質層上。導電性高分子層被設置在硅烷偶聯層上。陰極層被設置在導電性高分子層上。硅烷偶聯層具有第1硅烷偶聯層和第2硅烷偶聯層。第1硅烷偶聯層對電介質層的導電性高分子層側的表面的一部分進行覆蓋。第2硅烷偶聯層子啊電介質層的導電性高分子層側的表面，對從第1硅烷偶聯層露出的部分的至少一部分進行覆蓋。

在本發明涉及的固體電解電容器的制造方法中，在陽極上形成電介質層。在電介質層的表面的一部分上形成第1硅烷偶聯層，并且在電介質層的表面從第1硅烷偶聯層露出的露出部的至少一部分上形成第2硅烷偶聯層。在第1以及第2硅烷偶聯層上形成導電性高分子層。在導電性高分子層上形成陰極層。

在本發明中，在電介質層的導電性高分子層側的表面，按照覆蓋從第1硅烷偶聯層露出的部分的至少一部分的方式來設置第2硅烷偶聯層。因此，能夠提高基于電介質層的導電性高分子側的表面的硅烷偶聯層的覆蓋率。其結果，能夠提供一種電介質層與導電性高分子層的密接性高，在長時間使用后容量難以降低的固體電解電容器。

-發明效果-

根據本發明，能夠提供一種電介質層與導電性高分子層的密接性高，并且在長時間使用后容量難以降低的固體電解電容器。

附圖說明

圖1是本發明的一實施方式中的固體電解電容器的示意性剖視圖。

圖2是放大了圖1的部分II的略圖性剖視圖。

圖3是表示形成第1硅烷偶聯(silane coupling)層之前的電介質層的示意性剖視圖。