[發明專利]固體電解電容器有效
| 申請號： | 201380033676.4 | 申請日： | 2013-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN104428856B | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 小菅啓子 | 申請（專利權）人： | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號： | H01G9/032 | 分類號： | H01G9/032;H01G9/07 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅烷偶聯層 導電性高分子層 電介質層 固體電解電容器 陽極 陰極層 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種固體電解電容器，具備：
陽極；
電介質層，其被設置在所述陽極上；
硅烷偶聯層，其被設置在所述電介質層上；
導電性高分子層，其被設置在所述硅烷偶聯層上；和
陰極層，其被設置在所述導電性高分子層上，
所述硅烷偶聯層具有：
第1硅烷偶聯層，該第1硅烷偶聯層對所述電介質層的所述導電性高分子層側的表面的一部分進行覆蓋；和
第2硅烷偶聯層，該第2硅烷偶聯層在所述電介質層的所述導電性高分子層側的表面，對從所述第1硅烷偶聯層露出的部分的至少一部分進行覆蓋，
所述第2硅烷偶聯層進一步覆蓋所述第1硅烷偶聯層的至少一部分，
所述第1硅烷偶聯層和所述第2硅烷偶聯層不經由導電性高分子層而直接接觸。
2.根據權利要求1所述的固體電解電容器，其中，
所述第2硅烷偶聯層在所述電介質層的所述導電性高分子層側的表面，覆蓋從所述第1硅烷偶聯層露出的部分的一部分，
所述硅烷偶聯層還具有第3硅烷偶聯層，該第3硅烷偶聯層在所述電介質層的所述導電性高分子層側的表面，覆蓋從所述第1以及第2硅烷偶聯層露出的部分的至少一部分。
3.根據權利要求2所述的固體電解電容器，其中，
所述第3硅烷偶聯層進一步覆蓋所述第1以及第2硅烷偶聯層的至少一部分。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于松下知識產權經營株式會社，未經松下知識產權經營株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380033676.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
