[發明專利]納米級空隙的減小

有效

• 申請號: 201380032813.2
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104684710B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: J·J-J·胡;G·高茲納;T·L·格林伯格
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: B29C59/02
• 分類號: B29C59/02;B82B3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 樂洪詠

1.一種用于圖案化媒介抗蝕劑壓印的方法，包括：

在基底上分散抗蝕劑層，其中所述抗蝕劑層包含多個抗蝕劑微滴；

利用惰性氣體凈化腔室，其中所述惰性氣體在所述抗蝕劑層內的溶解度比He在所述抗蝕劑層內的溶解度更大；

將所述基底的表面和模板的預定目標的結構圖案化表面一起布置在所述腔室內，其中所述布置致使所述基底和所述模板之間的所述抗蝕劑層與所述結構圖案化表面相一致，并且其中所述布置進一步形成納米級空隙；

通過將所述基底在所述腔室中保持一段時間直至所述惰性氣體被吸收至所述抗蝕劑層內來減小所述納米級空隙的尺寸；和

分離所述基底和所述模板，其中所述抗蝕劑層粘附至所述基底的所述表面。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括將抗蝕劑單體或光引發劑蒸氣注射至所述腔室內并維持真空程度，其中所述腔室內的一種或多種構成氣體保持低于它們的亨利定律平衡。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述腔室內注射并再充滿脫模劑蒸氣并維持真空程度，其中所述腔室內的一種或多種構成氣體保持低于它們的亨利定律平衡。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述腔室為可操作的，用于使用壓印平版印刷在真空環境下來制造圖案，其中所述腔室內的一種或多種構成氣體保持低于它們的亨利定律平衡。

5.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述腔室內建立真空，其中所述真空程度低于所述惰性氣體的亨利定律平衡。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中在所述凈化之后，所述惰性氣體基本上為所述腔室內的唯一氣體，并且其中，所述惰性氣體具有的亨利定律平衡比He的亨利定律平衡大兩個數量級。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中利用所述惰性氣體減小所述納米級空隙的尺寸包括與He相比將所述納米級空隙的尺寸減小50％。

8.一種用于圖案化媒介抗蝕劑壓印的方法，包括：

密封腔室；

利用惰性氣體填充所述腔室，其中惰性氣體在基底上的抗蝕劑層內的溶解度比He在所述抗蝕劑層內的溶解度大；

在所述腔室內建立壓力，其足以致使所述惰性氣體被所述抗蝕劑層吸收，其中所述壓力足以抑制所述抗蝕劑層的蒸發；

將所述基底的表面和模板的預定目標的結構圖案化表面一起布置在所述腔室內，其中所述布置致使所述基底和所述模板之間的所述抗蝕劑層與所述結構圖案化表面相一致，并且其中所述布置進一步形成納米級空隙；和

通過將所述基底在所述腔室中保持一段時間直至所述惰性氣體被吸收至所述抗蝕劑層內來減小所述納米級空隙的尺寸。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述腔室內的基底上分散所述抗蝕劑層，其中所述抗蝕劑層包含多個抗蝕劑微滴；

利用惰性氣體凈化所述腔室，其中所述惰性氣體在所述抗蝕劑層內具有比He更大的溶解度；和

分離所述基底和所述模板，其中所述抗蝕劑層粘附至所述基底的所述表面。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述減小所述納米級空隙的尺寸進一步包括基本上消除所述納米級空隙。

11.根據權利要求8-10中任一項所述的方法，其中所述惰性氣體具有的亨利定律平衡比He的亨利定律平衡大兩個數量級。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述腔室為可操作的，用于使用壓印平版印刷在真空環境下來制造圖案，其中所述腔室內的一種或多種構成氣體保持低于它們的亨利定律平衡。

13.根據權利要求9所述的方法，進一步包括在壓印平版印刷操作過程中維持所述腔室內的預定壓力。

14.根據權利要求8-10,12和13中任一項所述的方法，其中所述建立壓力是對于所述惰性氣體來說低于亨利定律平衡。