[發明專利]與具有改進的插入損耗性能的結鐵氧體裝置相關的設備和方法有效
| 申請號: | 201380032303.5 | 申請日: | 2013-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN104380526B | 公開(公告)日: | 2018-02-09 |
| 發明(設計)人: | D.B.克魯克尚克;I.A.麥克法蘭 | 申請(專利權)人: | 天工方案公司 |
| 主分類號: | H01P1/393 | 分類號: | H01P1/393;H01P1/397 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 插入損耗 性能 鐵氧體 裝置 相關 設備 方法 | ||
相關申請的交叉參考
本申請要求于2012年5月18日提交的、名稱為“APPARATUS AND METHODS RELATED TO JUNCTION FERRITE DEVICES HAVING IMPROVED INSERTION LOSS PERFORMANCE”的美國臨時申請No.61/648,880的優先權,其全部公開內容通過引用明確地并入本文。
技術領域
本公開大體涉及在射頻(RF)應用中的與具有改進的插入損耗性能的結鐵氧體裝置相關的設備和方法。
背景技術
在射頻(RF)應用中,例如環形器的結鐵氧體裝置可以用于例如在天線、發射器和接收器之間進行選擇性地傳遞RF信號。如果RF信號在發射器和天線之間傳遞,優選應隔離接收器。相應地,環形器有時也被稱為隔離器;這樣的隔離性能可以體現環形器的性能。
發明內容
在一些實施方式中,本公開涉及一種包括接地平面的環形器,該接地平面具有第一側和第二側。該環形器還包括設置在該接地平面的第一側上的磁體。該環形器還包括設置在接地平面的第二側上的鐵氧體基盤。該鐵氧體基盤包括在接地表面上的一層金屬化層,從而該金屬化層與該接地平面的第二側電接觸。
在一些實施例中,鐵氧體基盤可以具有圓形形狀。該鐵氧體基盤可以包括由介電環圍繞的圓形鐵氧體基盤。該鐵氧體盤和介電環可以基本無膠水地相互固定。鐵氧體盤和介電環可以由共燒包括預燒結的鐵氧體棒和安裝在該鐵氧體棒周圍的未燒結的介電圓柱體的組件而形成。
在一些實施例中,金屬化層的厚度可以是對于選擇的頻率范圍的趨膚深度的至少1/2。在一些實施例中,該厚度可以是該趨膚深度的至少1倍。在一些實施例中,該厚度可以是該趨膚深度的至少2倍。
在一些實施例中,接地表面可以具有光潔度,從而在接地表面上的特征尺寸的平均值小于或者等于大約1.0微米。在一些實施例中,在接地表面上的特征尺寸的平均值小于或者等于大約0.5微米。在一些實施例中,在接地表面上的特征尺寸的平均值小于或者等于大約0.2微米。
在一些實施例中,金屬化層可以包括銀層。在一些實施例中,環形器還可以包括與設置在鐵氧體基盤的接地平面的相反側上的中心導體。環形器還可以包括第二鐵氧體基盤、第二磁體和第二接地平面,該第二鐵氧體基盤、第二磁體和第二接地平面配置為與該鐵氧體基盤、該磁體和該接地平面基本相似并且關于中心導體成鏡像布置。
在多個實施方式中,本公開涉及一種用于制造環形器的方法。該方法包括提供具有第一側和第二側的接地平面。該方法還包括將磁體放置于該接地平面的第一側上。該方法還包括將鐵氧體基盤放置于該接地平面的第二側上。該鐵氧體基盤包括在接地表面上的金屬化層,從而該金屬化層與該接地平面的第二側電接觸。
根據一些實施方式,本公開涉及一種用于射頻(RF)環形器的鐵氧體盤組件。該盤組件包括鐵氧體基盤,該鐵氧體基盤包括鐵氧體中心部分。該盤組件還包括形成在該盤的第一表面上的金屬化層,以改進該盤第一表面和外接觸表面之間的電接觸。
在一些實施例中,該盤的第一表面可以包括接地表面,從而該金屬化層改進該在該盤的接地表面和外接地表面之間的電接觸。在一些實施例中,該鐵氧體基盤還可以包括設置于該鐵氧體中心部分的外圍周圍的介電部分。該鐵氧體中心部分可以具有圓形形狀,該介電部分可以具有圓環形狀。
在多個實施方式中,本公開涉及一種用于制造用于射頻(RF)環形器的鐵氧體盤組件的方法。該方法包括形成包括鐵氧體中心部分的鐵氧體基盤。該方法還包括形成在該盤的第一表面上的金屬化層,以改進該盤的第一表面和外接觸表面之間的電接觸。
在一些實施方式中,該方法還包括在金屬化層形成之前在該盤的第一表面上形成期望的光潔表面。該金屬化層的形成可以包括使用油墨沉積法沉積金屬膜。該方法還可以包括固化沉積的金屬膜。
根據一些教導,本公開涉及一種用于改進射頻(RF)環形器的插入損耗性能的方法。該方法包括形成包括鐵氧體中心部分的鐵氧體基盤。該方法還包括形成用于在該盤上的接地表面的期望的光潔度。該光潔度選擇為改進在接地表面和一個或者多個金屬結構之間的電連接。期望的光潔度包括在接地表面上的平均特征尺寸,該平均特征尺寸小于來自生產該鐵氧體基盤的切割的平均尺寸。
在一些實施方式中,該一個或者多個金屬結構可以包括形成在接地表面上的金屬化層。
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