[發明專利]與具有改進的插入損耗性能的結鐵氧體裝置相關的設備和方法

有效

• 申請號: 201380032303.5
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號: CN104380526B
• 公開（公告）日: 2018-02-09
• 發明（設計）人: D.B.克魯克尚克;I.A.麥克法蘭
• 申請（專利權）人: 天工方案公司
• 主分類號: H01P1/393
• 分類號: H01P1/393;H01P1/397
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邱軍

1.一種射頻環形器，包括：

接地平面，具有限定一凹部的第一側和與該第一側相對的第二側；

磁體，設置在該接地平面的該第一側上的該凹部中，該凹部的尺寸形成為接收和支撐該磁體；

鐵氧體基盤，設置在靠近該接地平面的該第二側，該鐵氧體基盤具有面朝向該接地平面的第二側的第一表面以及面朝向遠離該接地平面的第二側的相對的第二表面，該鐵氧體基盤包括在該第一表面上形成的與該鐵氧體基盤一體的金屬化層以限定接地表面，從而該金屬化層與在該接地平面上的該第二側直接接觸并且被置于該接地平面的第二側和該鐵氧體基盤的第一表面之間；以及

返回路徑，包括靠近離開所述接地平面的所述磁體另一側的回路盤，所述回路盤的直徑大于所述磁體的直徑，并且所述返回路徑包括空心的圓柱體，其中所述回路盤和圓柱體包圍所述接地平面，所述空心的圓柱體具有匹配所述回路盤的直徑的內部直徑。

2.如權利要求1所述的環形器，其中該鐵氧體基盤具有圓形形狀。

3.如權利要求2所述的環形器，其中該鐵氧體基盤包括由介電環圍繞的圓形形狀的鐵氧體盤。

4.如權利要求3所述的環形器，其中該鐵氧體盤和該介電環基本無膠水地相互固定。

5.如權利要求4所述的環形器，其中該鐵氧體盤和該介電環通過共燒一組件形成，該組件包括預燒結的鐵氧體棒和裝配在該鐵氧體棒周圍的未燒結的介電圓柱體。

6.如權利要求1所述的環形器，其中該金屬化層的厚度是所選的頻率范圍的趨膚深度的至少1/2。

7.如權利要求6所述的環形器，其中該厚度是該趨膚深度的至少1.0倍。

8.如權利要求7所述的環形器，其中該厚度是該趨膚深度的至少2.0倍。

9.如權利要求1所述的環形器，其中該接地表面具有光潔度，從而在該接地表面上的特征尺寸的平均值小于或者等于1.0微米。

10.如權利要求9所述的環形器，其中該接地表面上的特征尺寸的該平均值小于或者等于0.5微米。

11.如權利要求10所述的環形器，其中該接地表面上的特征尺寸的該平均值小于或者等于0.2微米。

12.如權利要求1所述的環形器，其中該金屬化層包括銀層。

13.如權利要求1所述的環形器，還包括中心導體，設置在與該鐵氧體基盤的接地側的相反側上。

14.如權利要求13所述的環形器，還包括第二鐵氧體基盤、第二磁體和第二接地平面，該第二鐵氧體基盤、第二磁體和第二接地平面配置為與該鐵氧體基盤、該磁體和該接地平面基本相似并且關于該中心導體成鏡像布置。

15.一種用于制造射頻環形器的方法，該方法包括：

提供接地平面，該接地平面具有限定一凹部的第一側和與該第一側相對的第二側；

放置磁體在該接地平面的該第一側上的該凹部中，該凹部的尺寸形成為接收和支撐該磁體；

放置鐵氧體基盤在靠近該接地平面的第二側，該鐵氧體基盤具有面朝向該接地平面的第二側的第一表面以及面朝向遠離該接地平面的第二側的相對的第二表面，該鐵氧體基盤包括在該第一表面上形成的與該鐵氧體基盤一體的金屬化層以限定接地表面，從而該金屬化層與在該接地平面上的該第二側直接接觸并且被置于該接地平面的第二側和該鐵氧體基盤的第一表面之間；以及

放置返回路徑，所述返回路徑包括靠近離開所述接地平面的所述磁體另一側的回路盤，所述回路盤的直徑大于所述磁體的直徑，并且所述返回路徑包括空心的圓柱體，其中所述回路盤和圓柱體包圍所述接地平面，所述空心的圓柱體具有匹配所述回路盤的直徑的內部直徑。