[發明專利]用于檢查算法和過濾器的視覺反饋在審
| 申請號: | 201380031064.1 | 申請日: | 2013-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN104364889A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發明(設計)人: | 李虎成;黃軍秦;高理升 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 檢查 算法 過濾器 視覺 反饋 | ||
優先權
本申請案主張李虎成(Hucheng?Lee)等人在2012年5月8日申請的名稱為“差分過濾器和通用多裸片適應性閾值化(MDAT)設置用戶接口設計(DIFF?FILTER?AND?GENERALIZED?MDAT?SETUP?UI?DESIGN)”的第61/644,026號美國臨時申請案的優先權,所述申請案當前共同待決或為被授予申請日期的權利的當前共同待決申請案的申請案。
技術領域
本發明大體上涉及檢查系統的領域,且更特定來說,本發明涉及給用于處理由檢查系統收集的測試和參考圖像的檢查算法和/或過濾器提供視覺反饋。
背景技術
半導體制造正朝向更小尺度和更高復雜性生產發展。為實施更緊密規格,可在制造過程之前、制造過程期間和/或制造過程之后的各種階段中使用檢查系統。在前述階段中的任何者中,可利用檢查系統(例如,明場檢查系統、暗場檢查系統、電子束檢查系統和類似物)來檢測和特性化測試樣品的一或多個缺陷。
檢查系統可經配置以收集樣品的測試和參考圖像,接著分析所述測試和參考圖像以檢測樣品缺陷。可利用所選檢查算法來過濾或處理所述測試和參考圖像以改善缺陷檢測和分離。然而,差分過濾器和檢查算法可能難以設置和評估,這是因為無法直接觀察所選過濾器或檢查算法對經處理的測試和參考圖像的效應。歸因于確定適當設定時的前述困難,應用工程師和消費者趨向于避免利用差分過濾器或修改檢查算法設定值。
發明內容
本發明針對提供關于所選差分過濾器和/或檢查算法對由檢查系統收集的至少一組測試和參考圖像(下文中的“樣品圖像”)的效應的視覺反饋。所述視覺反饋能夠選擇差分過濾器和/或檢查算法設定值以用于改善的缺陷檢測和分離。
在一個方面中,本發明針對一種用于處理至少一組樣品圖像的系統。所述系統可包含:用戶接口,其經配置以顯示信息和接受用戶命令;和計算系統,其通信地耦合到所述用戶接口。所述計算系統可經配置以接收至少一組樣品圖像。所述計算系統可經進一步配置以利用所選檢查算法和/或所選差分過濾器來處理所述樣品圖像。所述計算系統可經進一步配置以經由用戶接口而提供所述樣品圖像的至少一個視覺表示。所述視覺表示可包含以下至少一者:帶正負號的差分圖像,其在所述帶正負號的差分圖像的像素處具有用于識別所述樣品的至少一個缺陷的極性的值;原始差分圖像和經過濾差分圖像的并列視圖;光標,其經配置以選擇與所述樣品的至少一個缺陷相關聯的一或多個像素;和二進制散布圖,其利用檢查算法來產生。
在另一方面中,本發明針對一種用于處理從檢查系統接收的至少一組樣品圖像的系統。所述系統可包含檢查系統、用戶接口和計算系統。所述用戶接口可經配置以顯示信息和接受用戶命令。所述檢查系統可經配置以收集至少一組樣品圖像。所述計算系統可通信地耦合到所述用戶接口和所述檢查系統。所述計算系統可經配置以從所述檢查系統接收所述樣品圖像。所述計算系統可經進一步配置以利用所選檢查算法和/或所選差分過濾器來處理所述樣品圖像。所述計算系統可經進一步配置以經由所述用戶接口而提供所述樣品圖像的至少一個視覺表示。所述視覺表示包含以下至少一者:帶正負號的差分圖像,其在所述帶正負號的差分圖像的像素處具有用于識別所述樣品的至少一個缺陷的極性的值;原始差分圖像和經過濾差分圖像的并列視圖;光標,其經配置以選擇與所述樣品的至少一個缺陷相關聯的一或多個像素;和二進制散布圖,其利用檢查算法來產生。
在另一方面中,本發明針對一種處理至少一組樣品圖像的方法,其包含以下步驟:接收利用檢查系統來收集的至少一組樣品圖像;利用所選檢查算法和/或所選差分過濾器來處理所述樣品圖像;和經由用戶接口而提供所述樣品圖像的至少一個視覺表示。所述視覺表示可包含以下至少一者:帶正負號的差分圖像,其在所述帶正負號的差分圖像的像素處具有用于識別所述樣品的至少一個缺陷的極性的值;原始差分圖像和經過濾差分圖像的并列視圖;光標,其經配置以選擇與所述樣品的至少一個缺陷相關聯的一或多個像素;和二進制散布圖,其利用檢查算法來產生。
應了解,以上一般描述和以下詳細描述兩者僅為示范性和解釋性,而未必限制本發明。并入于本說明書中且構成本說明書的一部分的附圖說明本發明的標的物。描述和圖式一起用來解釋本發明的原理。
附圖說明
所屬領域的技術人員可通過參考附圖而更好地理解本發明的許多優點,其中:
圖1為說明根據本發明的實施例的用于處理至少一組樣品圖像的系統的框圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





