[發明專利]半導體晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201380030575.1
• 申請日: 2013-06-12
• 公開（公告）號: CN104350583B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 山下健兒
• 申請（專利權）人: 勝高科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/316
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 秦琳,徐紅燕

技術領域

本發明涉及半導體晶片的制造方法。

背景技術

通常，對半導體晶片的表面和背面進行的鏡面研磨被分成多個階段來實施。具體地，大致區分為以半導體晶片的高平坦度化為目的的粗研磨和以表面粗糙度降低為目的的精加工研磨。

此外，不僅對半導體晶片的表面和背面實施鏡面研磨，出于防止來自倒角部的粉塵產生的目的，還對倒角部實施鏡面研磨。

粗研磨是通過將半導體晶體收納在載體（carrier）內并對半導體晶片的表面和背面同時進行研磨的雙面同時研磨來進行的。在該雙面同時研磨中，由于半導體晶片與載體內周面的接觸，在倒角部產生損傷、壓痕。因此，倒角部的鏡面研磨兼帶除去所產生的損傷、壓痕，通常是在粗研磨之后被實施的。

可是，由于在用于倒角部的鏡面研磨的研磨墊中使用軟質的砂布，所以存在以該軟質的砂布不僅繞入到倒角部還繞入到晶片表面側的狀態進行研磨的問題（之后，也稱為過度拋光（over–polish）。）。當該過度拋光發生時，產生晶片外周部的厚度變薄的問題（之后，也稱為邊緣輾軋（edge roll–off）。）。

作為防止以上述過度拋光為起因的邊緣輾軋的惡化的方法，公開了如下半導體晶片的制造方法（例如，參照專利文獻1。）：在雙面研磨工序之后，在半導體晶片表面和背面形成樹脂制的保護膜，進行鏡面倒角工序，之后，除去樹脂制的保護膜。在專利文獻1中，利用在半導體晶片的表面和背面形成的樹脂制的保護膜來抑制鏡面倒角工序時的過度拋光，由此，防止邊緣輾軋。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006–237055號公報。

發明內容

發明要解決的課題

可是，在上述專利文獻1所示的方法中，分別需要利用樹脂的保護膜形成和用于除去樹脂制保護膜的洗滌，因此，存在招致成本增加的問題。

此外，當用于形成保護膜的樹脂不僅影響到表面和背面還影響到倒角部時，倒角部在鏡面研磨工序中的研磨被部分或整體地抑制。因此，為了使樹脂不影響到倒角部，需要僅在晶片表面和背面正確地形成保護膜，但是，技術上是困難的。

進而，在用于除去樹脂制保護膜的洗滌中，存在暫時除去了的樹脂再次附著、樹脂制保護膜未被完全除去等問題。

本發明的目的在于，提供一種能夠提高半導體晶片表面的外周部的平坦度的半導體晶片的制造方法。

用于解決課題的方案

通常，在粗研磨和鏡面精加工研磨中，使用磨粒尺寸、配合成分不同的研磨液。因此，對粗研磨后的半導體晶片進行洗滌處理，使得不將殘留在粗研磨后的半導體晶片表面的磨粒、研磨液帶入到后繼的鏡面精加工研磨中。在洗滌處理中，使用包含氨水和過氧化氫的洗滌液（SC–1）等。

根據本發明者們的實驗明確了：當在對粗研磨后的半導體晶片進行洗滌處理之后對倒角部進行鏡面倒角研磨、之后對表面或者表面和背面進行鏡面精加工研磨時，存在半導體晶片表面的外周部的平坦度惡化的問題。

對其原因進行專心研究后的結果是，得到了以下的見解。

當對半導體晶片進行SC–1洗滌等洗滌處理時，在洗滌處理后的半導體晶片的整個表面不可避免地形成厚度為埃程度的氧化膜。

另一方面，近年來，晶片倒角部的鏡面研磨的技術開發也在進步，通過所使用的砂布、漿的種類等的改良而被改善到幾乎不產生由過度拋光造成的邊緣輾軋產生的問題的狀況。

可是，如圖8A所示，在通過洗滌處理而形成的極薄的氧化膜中，由于鏡面倒角研磨造成的過度拋光，在半導體晶片表面的外周部存在的氧化膜被除去，形成露出了硅面的半導體晶片。

當在該狀態下進行以下的鏡面精加工研磨時，如圖8B所示，在半導體晶片表面、在氧化膜存在的部分和不存在的部分產生研磨速率的差異。而且，顯然，在氧化膜不存在的外周部的研磨進行快，從外周部先進行研磨，因此，邊緣輾軋惡化。

在本發明的半導體晶片的制造方法中，所述半導體晶片的制造方法進行：粗研磨工序，對半導體晶片的表面和背面進行粗研磨；鏡面倒角研磨工序，對所述粗研磨后的半導體晶片的倒角部進行鏡面研磨；以及鏡面精加工研磨工序，對所述鏡面倒角后的半導體晶片的表面或者表面和背面進行鏡面研磨，所述制造方法的特征在于，在所述鏡面倒角研磨工序之后，在所述半導體晶片的整個表面形成氧化膜，之后，進行所述鏡面精加工研磨工序。