[發明專利]半導體晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201380030575.1
• 申請日: 2013-06-12
• 公開（公告）號: CN104350583B
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 山下健兒
• 申請（專利權）人: 勝高科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/316
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 秦琳,徐紅燕

1.一種半導體晶片的制造方法，所述制造方法進行：

粗研磨工序，對半導體晶片的表面和背面進行粗研磨；

鏡面倒角研磨工序，對所述粗研磨后的半導體晶片的倒角部進行鏡面研磨；以及

鏡面精加工研磨工序，使用對所述鏡面倒角后的半導體晶片的一個面進行保持而對另一個面進行研磨的單面研磨裝置，對所述半導體晶片的表面或者表面和背面進行鏡面研磨，

所述制造方法的特征在于，

在所述鏡面倒角研磨工序之后，將在所述半導體晶片的表面存在的氧化膜全部除去，之后，在所述半導體晶片的整個表面形成氧化膜，之后，進行所述鏡面精加工研磨工序。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，

所述氧化膜的形成是通過使用了同時包含氨水和過氧化氫水溶液的混合液的化學洗滌來進行的。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，

所述氧化膜的形成是通過利用臭氧水溶液和氟化氫水溶液的旋轉洗滌的重復來進行的。

4.根據權利要求1所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，

所述形成的氧化膜的膜厚為0.5nm以上、2nm以下。

5.根據權利要求1至權利要求4的任一項所述的半導體晶片的制造方法，其特征在于，

在所述鏡面精加工研磨工序中的研磨加工余量為0.1μm以上、3μm以下。