[發明專利]顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201380030166.1
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN104350532B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 津野仁志;永澤耕一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,田喜慶

技術領域

本公開涉及顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法。

背景技術

在諸如液晶顯示器或有機電致發光(EL)顯示器的平板顯示器中，有源矩陣薄膜晶體管(TFT)已經廣泛地用于驅動面板的驅動晶體管。每個像素提供有這樣的TFT使其能控制每個像素的明暗，與無源矩陣方法相比獲得較高的圖像質量和較高的對比度。

而且，在這樣的平板顯示器中，一直追求的是性能上的進一步改進。例如，已經提出了一種技術，在這種技術中，TFT的柵極絕緣膜和電容器的介電膜制作在不同的層中以允許最佳介電膜的選擇不受TFT材料的限制(例如，參見專利文件1)。這樣的介電膜例如允許選擇介電常數高于柵極絕緣膜的材料，或者與柵極絕緣膜相同材料的較小厚度，從而增加每單位面積的電容。

引用列表

專利文件

PTL 1：JP 2008-102262A

發明內容

然而，在專利文件1中，在與柵電極相同層中的金屬膜用于電容器的一個電極，由于電容器的布置方案或材料的限制，導致妨礙薄膜晶體管性能改進的缺點。

因此，希望提供使其能改進性能的顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法。

根據本技術方案實施例的顯示裝置包括：晶體管部分，包括柵極絕緣膜、半導體層和柵電極層，該半導體層層疊在柵極絕緣膜上，柵電極膜層疊在柵極絕緣膜的與半導體層的相反的側上；第一電容器部分，包括第一金屬膜和第二金屬膜，第一金屬膜設置在與配線層相同的層級，配線層電連接到半導體層且設置在晶體管部分之上，第二金屬膜設置在第一金屬膜之上，第一金屬膜和第二金屬膜之間具有第一層間絕緣膜；以及顯示元件，構造為由晶體管部分驅動。

根據本技術方案實施例的半導體裝置包括晶體管部分和電容器部分，并且晶體管部分和電容器部分與上述顯示裝置的晶體管部分和第一電容器部分具有類似的構造。

根據本技術方案實施例的制造顯示裝置的方法包括如下(A)至(C)。

(A)通過層疊柵電極、柵極絕緣膜和半導體層形成晶體管部分；

(B)通過在晶體管部分之上沉積配線層和第一金屬膜且在第一金屬膜之上隔著第一層間絕緣膜沉積第二金屬膜而形成第一電容器部分，配線層電連接到半導體層，第一金屬膜設在與配線層相同的層級；

(C)形成顯示元件，該顯示元件構造為由晶體管部分控制。

在根據本技術方案上述實施例的顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法中，構成電容器(第一電容器部分)的金屬膜與晶體管部分提供在不同層中。這提供電容器材料的較大選擇自由度。

根據上述實施例的顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法，構成電容器(第一電容器部分)的金屬膜與晶體管部分提供在不同層中。這提供電容器材料的較大選擇自由度，有利于整個配線電阻的減小。因此，能夠提供高性能的顯示裝置。

附圖說明

圖1是示出有機電致發光(EL)顯示裝置的一個構造示例的示意圖。

圖2是示出有機EL顯示裝置的電路構造一個示例的示意圖。

圖3A是示出根據第一實施例的TFT和電容器構造的平面圖。

圖3B是示出圖3A所示TFT和電容器構造的截面圖。

圖4A是示出圖3B所示TFT和電容器制造工藝的截面圖。

圖4B是示出圖4A后續工藝的截面圖。

圖5A是示出圖4B后續工藝的截面圖。

圖5B是示出圖5A后續工藝的截面圖。

圖6A是示出根據第二實施例的TFT和電容器構造的平面圖。

圖6B是示出圖6A所示TFT和電容器構造的截面圖。

圖7A是示出根據第三實施例的TFT和電容器構造的平面圖。

圖7B是示出圖7A所示TFT和電容器構造的截面圖。

圖8A是示出根據第三實施例的TFT和電容器另一個構造的平面圖。

圖8B是示出圖8A所示TFT和電容器構造的截面圖。

圖9A是示出根據第四實施例的TFT和電容器構造的平面圖。

圖9B是示出圖9A所示TFT和電容器構造的截面圖。

圖10A是示出圖9B所示TFT和電容器制造工藝的截面圖。

圖10B是示出圖10A后續工藝的截面圖。

圖11是示出根據第五實施例的TFT和電容器構造的截面圖。

圖12是示出根據第五實施例的TFT和電容器另一個構造的截面圖。

圖13A是示出根據第六實施例的TFT和電容器構造的平面圖。