[發明專利]顯示裝置、半導體裝置和制造顯示裝置的方法

有效

• 申請號: 201380030166.1
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN104350532B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 津野仁志;永澤耕一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G09F9/30
• 分類號: G09F9/30;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,田喜慶

1.一種顯示裝置，包括：

晶體管部分，包括柵極絕緣膜、半導體層和柵電極層，該半導體層層疊在該柵極絕緣膜上，該柵電極層疊在該柵極絕緣膜的該半導體層的相反側以使得該柵電極層形成在該柵極絕緣膜與基板之間；

第一電容器部分，包括第一金屬膜和第二金屬膜，該第一金屬膜設置在與配線層相同的層級，該配線層電連接至該半導體層且設置在該晶體管部分之上，該第二金屬膜設置在該第一金屬膜之上，該第一金屬膜和該第二金屬膜之間具有第一層間絕緣膜；以及

顯示元件，構造為由該晶體管部分控制，

其中該第一電容器部分包括在該第一電容器部分的平面中的至少一個凹陷部分，

其中該凹陷部分的底部與該晶體管部分的該柵極絕緣膜接觸。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括提供在該第一電容器部分之下的第二電容器部分，其中該第二電容器部分包括絕緣膜、另外的半導體層和金屬膜，該絕緣膜設置在與該柵極絕緣膜相同的層級，該另外的半導體層設置在與該半導體層相同的層級，該金屬膜設置在與該柵電極層相同的層級。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中該配線層和該第一金屬膜整體形成，該配線層電連接到該半導體層。

4.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中該凹陷部分形成在所述第二電容器部分之上，并且該第一電容器部分的該第一金屬膜電連接到該第二電容器部分的一個電極膜。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括第二層間絕緣膜，其提供在該晶體管部分之上且包括至少一個通孔，其中該第一電容器部分提供在該第二層間絕緣膜之上，并且該凹陷部分形成在該通孔中。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中該第二層間絕緣膜包括兩個或更多個通孔作為該通孔，并且該第二層間絕緣膜在與另一個通孔的相鄰部分和非相鄰部分之間的厚度不同。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中該第一層間絕緣膜形成在該配線層之上。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中該第一層間絕緣膜由氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺和丙烯酸樹脂的任何一個或者任何兩個或更多個構造。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中該第一層間絕緣膜具有分層結構，該分層結構包括由高介電常數材料構成的至少一個層。

10.根據權利要求9所述的顯示裝置，其中該高介電常數材料是相對介電常數為10或更大的材料。

11.一種顯示裝置，包括：

晶體管部分，包括柵極絕緣膜、半導體層和柵電極層，該半導體層層疊在該柵極絕緣膜上，該柵電極層疊在該柵極絕緣膜的該半導體層的相反側以使得該柵電極層形成在該柵極絕緣膜與基板之間；

第一電容器部分，包括第一金屬膜和第二金屬膜，該第一金屬膜設置在與配線層相同的層級，該配線層電連接至該半導體層且設置在該晶體管部分之上，該第二金屬膜設置在該第一金屬膜之上，該第一金屬膜和該第二金屬膜之間具有第一層間絕緣膜；以及

顯示元件，構造為由該晶體管部分控制，

其中該第一電容器部分包括在該第一電容器部分的平面中的至少一個凹陷部分，

其中該凹陷部分的底部與其上設有該晶體管部分的所述基板接觸。

12.一種半導體裝置，包括：

晶體管部分，包括柵極絕緣膜、半導體層和柵電極層，該半導體層層疊在該柵極絕緣膜上，該柵電極膜層疊在該柵極絕緣膜的與該半導體層相反的一側以使得該柵電極層形成在該柵極絕緣膜與基板之間；以及

第一電容器部分，包括第一金屬膜和第二金屬膜，該第一金屬膜設置在與配線層相同的層級，該配線層電連接到該半導體層且設置在該晶體管部分之上，該第二金屬膜設置在該第一金屬膜之上，該第一金屬膜和該第二金屬膜之間具有第一層間絕緣膜，

其中該第一電容器部分包括在該第一電容器部分的平面中的至少一個凹陷部分，

其中該凹陷部分的底部與該晶體管部分的該柵極絕緣膜接觸。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，還包括提供在該第一電容器部分之下的第二電容器部分，其中該第二電容器部分包括絕緣膜、另外的半導體層和金屬膜，該絕緣膜設置在與該柵極絕緣膜相同的層級，該另外的半導體層設置在與該半導體層相同的層級，該金屬膜設置在與該柵電極層相同的層級。