[發(fā)明專利]射極穿透式太陽(yáng)能電池及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380029649.X
• 申請(qǐng)日: 2013-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN104380477A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭堣元;趙在億;李弘九;玄德煥;李龍和
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓化石油化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L31/042
• 分類號(hào): H01L31/042;H01L31/18
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 朱梅;徐琳

1.一種射極穿透式太陽(yáng)能電池，包括：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板(100)，該基板具有在正常運(yùn)行期間面向太陽(yáng)的前側(cè)和與所述前側(cè)相對(duì)的后側(cè)，其中，第一溝渠(10)和第二溝渠(20)形成在所述后側(cè)同時(shí)被物理分離，并且形成至少一個(gè)通過(guò)所述第二溝渠穿透所述基板的通路孔(30)；以及

在所述第一溝渠(10)內(nèi)部形成的第一導(dǎo)電型基極(15)，以及在所述第二溝渠(20)和所述通路孔(30)內(nèi)部形成的第二導(dǎo)電型射極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述第一溝渠(10)和第二溝渠(20)彼此物理分離，并相互交錯(cuò)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述半導(dǎo)體基板(100)為p-型摻雜的硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述半導(dǎo)體基板(100)的前側(cè)構(gòu)造為不平坦結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述半導(dǎo)體基板(100)具有150至220μm的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，在所述基板的后側(cè)各自獨(dú)立地形成寬度為200至700μm且深度為20至60μm的第一溝渠(10)和第二溝渠(20)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述通路孔(30)具有25至100μm的直徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射極穿透式太陽(yáng)能電池，其中，所述基極(15)占據(jù)由所述第一溝渠(10)形成的全部空間，而所述射極(25)占據(jù)由所述第二溝渠(20)和所述通路孔(30)形成的全部空間。

9.一種射極穿透式太陽(yáng)能電池的制備方法，包括：

制備第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板(100)，該基板具有在正常運(yùn)行期間面向太陽(yáng)的前側(cè)和與所述前側(cè)相對(duì)的后側(cè)；

在所述基板的后側(cè)形成彼此物理分離的第一溝渠(10)和第二溝渠(20)，并且形成至少一個(gè)通過(guò)所述第二溝渠穿透所述基板的通路孔(30)；

在所述基板的前側(cè)、在所述第二溝渠(20)的內(nèi)側(cè)和在所述通路孔(30)的內(nèi)側(cè)分別形成第二導(dǎo)電型射極層(40)；

在所述基板的后側(cè)和在所述第一溝渠(10)的底側(cè)形成鈍化層(60)，并且在所述基板的前側(cè)形成抗反射層(65)；以及

在所述第一溝渠(10)的內(nèi)部形成第一導(dǎo)電型基極(15)，并且在所述第二溝渠(20)和所述通路孔(30)的內(nèi)部形成第二導(dǎo)電型射極(25)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一溝渠(10)和第二溝渠(20)通過(guò)激光刻槽形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第一溝渠(10)和第二溝渠(20)彼此物理分離，并相互交錯(cuò)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述基板的后側(cè)各自獨(dú)立地形成寬度為200至700μm且深度為20至60μm的第一溝渠(10)和第二溝渠(20)。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述通路孔(30)通過(guò)激光打孔、濕法蝕刻、干法蝕刻、機(jī)械打孔、水注切削或其組合過(guò)程形成。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成基極(15)以占據(jù)由所述第一溝渠(10)形成的全部空間，以及形成射極(25)以占據(jù)由所述第二溝渠(20)和所述通路孔(30)形成的全部空間。