[發明專利]壓電器件

有效

• 申請號: 201380029622.0
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN104364924B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 佐久間仁志;倉知克行;會田康弘;前島和彥;中島真由美
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L41/047
• 分類號: H01L41/047;H01L41/08
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種壓電器件，其中，

包括：

第一電極膜；

壓電膜，其設置在所述第一電極膜上；以及

第二電極膜，其設置在所述壓電膜上，

所述壓電膜由(K,Na)NbO₃或LiNbO₃構成，

所述第一電極膜和第二電極膜中的至少一個由合金構成，并且所述合金的主成分是Zn，

所述第一電極膜和第二電極膜中的至少一個的楊氏模量小于所述壓電膜的楊氏模量。

2.根據權利要求1所述的壓電器件，其中，

所述合金的主成分是Zn，并且所述合金含有Al作為副成分。

3.根據權利要求2所述的壓電器件，其中，

所述合金含有80～92at％的Zn和8～20at％的Al。

4.根據權利要求1所述的壓電器件，其中，

所述第一電極膜和第二電極膜具有非取向或非晶結構。

5.根據權利要求1所述的壓電器件，其中，

所述壓電膜具有擇優取向結構。

6.根據權利要求1所述的壓電器件，其中，

還包括：在所述壓電膜與至少一個所述電極膜之間的由選自Al、Ti、Zr、Ta、Cr、Co和Ni中的一種元素構成的中間膜，

構成所述中間膜的金屬的氧化還原電位，比構成所述壓電膜的全部的金屬元素的氧化還原電位低，

所述中間膜具有非取向或非結晶結構，

所述中間膜的膜厚為2～5nm。

7.根據權利要求6所述的壓電器件，其中，

還包括在所述壓電膜和至少一個所述電極膜之間的導電性氧化物膜。