[發明專利]基板檢查裝置無效
| 申請號: | 201380029449.4 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN104380448A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 山田浩史 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢查 裝置 | ||
1.一種基板檢查裝置,其通過維持基板與探針卡之間的密閉空間的減壓狀態來維持所述探針卡的各探針與形成在所述基板的半導體器件的各電極的抵接狀態,所述基板檢查裝置的特征在于:
包括對所述密閉空間進行減壓的減壓裝置,
所述減壓裝置包括:吸引口;與該吸引口連通的真空室;與該真空室連通的排出口;和向所述真空室高速噴出流體的噴出口,該噴出口與所述排出口正對,
所述吸引口與所述密閉空間連通。
2.如權利要求1所述的基板檢查裝置,其特征在于:
流體從所述噴出口的噴出使用由電動氣動調節閥產生的正壓。
3.如權利要求1或2所述的基板檢查裝置,其特征在于:
在使所述基板向所述探針卡移動,使所述探針卡的各探針與形成在所述基板的半導體器件的各電極抵接后,進而使所述基板向所述探針卡移動規定量。
4.如權利要求3所述的基板檢查裝置,其特征在于:
所述規定量為10μm~150μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





