[發明專利]基板檢查裝置

無效

• 申請號: 201380029449.4
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104380448A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 山田浩史
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01R31/28
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及具有探針卡的基板檢查裝置。

背景技術

作為基板檢查裝置，已知有例如對形成在作為基板的晶片的多個半導體器件進行電特性檢查的探針裝置。

通常，探針裝置包括：載置晶片并在X、Y、Z和θ方向上移動的載置臺；配置在載置臺的上方的頂板；和以與該載置臺相對的方式安裝到該頂板的探針卡，探針卡具有向載置臺突出的多個探針(檢查針)。

在該探針裝置中，載置臺與頂板相對移動，進行探針卡的各探針與形成于晶片的半導體器件的各電極的定位(對位)，然后，載置臺上升，使晶片的各電極與探針卡的各探針接觸，對形成于晶片的多個半導體器件進行電特性檢查。

通常，在探針裝置中，使載置臺向Z方向機械地移動，由此將晶片壓向探針卡，但由于由各探針的前端構成的抵接面與載置晶片的載置臺的載置面并不一定平行，所以有時多個探針的一部分與半導體器件的多個電極的一部分過度抵接，而另一方面，多個探針的另一部分與多個電極的另一部分不抵接。即，存在不能使所有的探針均勻地與半導體器件的各電極抵接的問題。

于是，提出了這樣一種探針裝置，其在載置有晶片的晶片托盤與探針卡之間形成密閉空間，對該密閉空間進行減壓，按每一個晶片托盤，使晶片吸引到探針卡(例如參照專利文獻1)。

密閉空間內的壓力當然會變均勻，所以能夠使晶片在整個面以均勻的力被吸引到探針卡，而且能夠使所有的探針與半導體器件的各電極大致均勻地抵接。在該探針裝置中，為了對密閉空間減壓，使用由電動氣動調節閥(電-氣調節閥)產生的負壓。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-186998號公報

發明內容

發明想要解決的技術問題

然而，在電動氣動調節閥中，通過該電動氣動調節閥所具有的多個閥門的開閉產生負壓，所以壓力的控制幅度大，難以產生絕對值小的負壓。

當負壓的絕對值大時，密閉空間的減壓幅度也變大，導致有時各探針與半導體器件的各電極強力地抵接而在各電極上留下較深的針跡，甚至有可能導致探針的折斷、晶片的裂開。

本發明的目的在于提供一種基板檢查裝置，其能夠不在基板的半導體器件的各電極上留下深的針跡，而且能夠防止探針的折斷、基板的破裂。

用于解決技術問題的技術方案

為了達成上述目的，根據本發明，提供一種基板檢查裝置，其通過維持基板與探針卡之間的密閉空間的減壓狀態來維持上述探針卡的各探針與形成在上述基板的半導體器件的各電極的抵接狀態，上述基板檢查裝置的特征在于：包括對上述密閉空間進行減壓的減壓裝置，上述減壓裝置包括：吸引口；與該吸引口連通的真空室；與該真空室連通的排出口；和向上述真空室高速噴出流體的噴出口，該噴出口與上述排出口正對，上述吸引口與上述密閉空間連通。

在本發明中，優選流體從上述噴出口的噴出使用由電動氣動調節閥產生的正壓。

在本發明中，優選在使上述基板向上述探針卡移動，使上述探針卡的各探針與形成在上述基板的半導體器件的各電極抵接后，進而使上述基板向上述探針卡移動規定量。

在本發明中，優選上述規定量為10μm～150μm。

發明效果

根據本發明，對基板和探針卡的密閉空間進行減壓的減壓裝置包括：吸引口；與該吸引口連通的真空室；與該真空室連通的排出口；和向真空室高速噴出流體的噴出口，該噴出口與排出口正對，所以高速的流體卷入真空室的氣體并從排出口排出，在真空室產生負壓，進而在與真空室連通的吸引口也產生負壓，但被卷入的真空室的氣體的量比噴出的高速的流體的量少。因此，即使使高速的流體的噴出量較大地變動，被卷入的真空室的氣體量也少，而且因為被卷入的真空室的氣體的量與在吸引口產生的負壓的變動幅度相關，所以能夠減小吸引口的負壓的控制幅度，并且能夠減小密閉空間的減壓幅度。其結果是，能夠防止各探針與半導體器件的各電極強力抵接，由此在進行基板的半導體器件的電特性檢查時，不會在基板的半導體器件的各電極上留下較深的針跡，進而能夠防止探針的折斷、基板的破裂。

附圖說明

圖1是概略地表示本發明的實施方式的基板檢查裝置的結構的截面圖。

圖2是概略地表示圖1的噴射器的結構的截面圖。

圖3是表示圖1的探針裝置執行的晶片的吸附處理的工序圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。

圖1是概略地表示本實施方式的基板檢查裝置的結構的截面圖。