[發明專利]光發射器封裝、系統、以及方法有效
| 申請號: | 201380029065.2 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN104396036B | 公開(公告)日: | 2018-05-29 |
| 發明(設計)人: | 安伯爾·C·阿貝爾;杰弗里·卡爾·布里特;約瑟夫·G·克拉克;雷蒙德·羅薩多;哈什·孫達尼 | 申請(專利權)人: | 克利公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 美國北卡*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光發射器 芯片 封裝 陰極 陽極 次基 引線接合 可安裝 改進 | ||
1.一種光發射器封裝,包括:
次基臺,包括陽極、陰極、以及多條跡線,所述陽極、所述陰極、以及所述跡線均覆蓋所述次基臺的相應部分;以及
多個光發射器芯片,設置在所述次基臺上并且串聯連接;
其中,所述多個芯片中的第一光發射器芯片安裝在所述陰極的至少一部分上并且引線接合至多條所述跡線之一,并且其中,所述多個芯片中的第二光發射器芯片安裝在多條所述跡線中的一條跡線上并且被引線接合至所述陽極,并且其中,所述陽極、所述陰極、以及多條所述跡線是外露金屬區域的形式,所述外露金屬區域覆蓋所述次基臺的大部分面積。
2.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述封裝被配置為在1W和25℃時輸送高達每瓦特145流明(LPW)以上。
3.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述封裝被配置為在1W和25℃時輸送高達每瓦特180流明(LPW)以上。
4.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述封裝被配置為在1W和25℃時輸送高達每瓦特200流明(LPW)以上。
5.根據權利要求2所述的光發射器封裝,其中,所述封裝包括暖白(WW)色溫。
6.根據權利要求3所述的光發射器封裝,其中,所述封裝包括冷白(CW)色溫。
7.根據權利要求4所述的光發射器封裝,其中,所述封裝包括冷白(CW)色溫。
8.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,反射材料至少部分設置在所述陽極與所述陰極之間。
9.根據權利要求8所述的光發射器封裝,其中,所述反射材料包括阻焊層材料。
10.根據權利要求8所述的光發射器封裝,其中,所述反射材料設置在所述陽極與所述陰極的相對側壁之間。
11.根據權利要求1所述的光發射器封裝,進一步包括設置在所述多個芯片中的每個芯片上的光學轉換材料。
12.根據權利要求11所述的光發射器封裝,其中,所述光學轉換材料包括熒光劑,并且其中,所述熒光劑僅設置在所述多個芯片中的每個芯片上。
13.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述封裝被配置為輸送2700K至7000K范圍內的色溫。
14.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述第一光發射器芯片與所述第二光發射器芯片間隔至少0.025mm以上。
15.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述第一光發射器芯片與所述第二光發射器芯片間隔至少0.06mm以上。
16.根據權利要求1所述的光發射器封裝,進一步包括透鏡。
17.根據權利要求16所述的光發射器封裝,其中,所述透鏡包括圓形透鏡基座。
18.根據權利要求17所述的光發射器封裝,其中,所述透鏡基座包括等于或者大于1mm的半徑。
19.根據權利要求17所述的光發射器封裝,其中,所述透鏡基座包括等于或者大于3.25mm的半徑。
20.根據權利要求1所述的光發射器封裝,其中,所述次基臺包括3mm以上的長度和寬度。
21.根據權利要求20所述的光發射器封裝,其中,所述次基臺包括7mm以上的長度和寬度。
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