[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380028921.2
• 申請(qǐng)日: 2013-04-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104364915B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李定植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/04
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/04;H01L33/32
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

1.一種發(fā)光器件，其包含：

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；

在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的Al_xIn_yGa_1-x-yN層(0＜x≤1，且0＜y≤1)；

在所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層上的有源層；和

在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的帶隙能量比所述有源層的帶隙能量高120meV以上，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的晶格常數(shù)大于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層之間，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層與所述有源層的底面直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中具有多個(gè)Al_xIn_yGa_1-x-yN層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中各個(gè)Al_xIn_yGa_1-x-yN層包含Al_xIn_yGa_1-x-yN和GaN。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中各個(gè)Al_xIn_yGa_1-x-yN層包含多對(duì)Al_xIn_yGa_1-x-yN和GaN。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層以700nm以下的厚度形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的晶格常數(shù)小于所述有源層的晶格常數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的晶格常數(shù)大于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)，且小于所述有源層的晶格常數(shù)，

所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的厚度小于所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的厚度。

8.一種發(fā)光器件，其包含：

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；

在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的Al_xIn_yGa_1-x-yN層(0＜x≤1，且0＜y≤1)；

在所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層上的有源層；和

在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的帶隙能量比所述有源層的帶隙能量高120meV以上，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層的帶隙能量和晶格常數(shù)彼此獨(dú)立地變化，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層之間，

其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN層與所述有源層的底面直接接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述Al_xIn_yGa_1-x-yN維持預(yù)定的帶隙能級(jí)以上，且其晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。