[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201380028921.2
• 申請日: 2013-04-18
• 公開（公告）號: CN104364915B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 李定植
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/32
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

技術領域

本實施方式涉及發光器件、制造所述發光器件的方法、發光器件封裝及照明系統。

背景技術

本實施方式涉及發光器件、發光器件封裝及照明系統。

發光器件(LED)包括具有將電能轉換成光能的特性的p-n結二極管。該p-n結二極管可通過組合周期表的III～V族元素形成。LED可通過調節化合物半導體的組成比率而呈現各種顏色。

當將正向電壓施加到LED時，n層的電子與p層的空穴組合，從而可產生對應于在傳導帶和價電帶之間的能隙的能量。該能量作為熱或光獲得，且LED以光的形式發射所述能量。

氮化物半導體表現優異的熱穩定性和寬帶隙能量，因此氮化物半導體在光學器件和高功率電子器件領域已經引起了人們的注意。特別地，已經研發并廣泛地使用了采用氮化物半導體的藍光、綠光和紫外光發射器件。

根據現有技術的氮化物半導體LED，具有InGaN/GaN層結構或InGaN單層結構的應變消除層提供在有源層之下以消除在有源層中的應變。

然而，根據現有技術，如果在應用具有InGaN/GaN層結構或InGaN單層結構的應變消除層時晶格匹配作用增加，則應變消除層的晶格常數與有源層的晶格常數近似，甚至應變消除層的帶隙能量與有源層的帶隙能量近似，因此應變消除層可吸收從有源層發射的光。

另外，雖然可增加應變消除層的厚度以根據現有技術充分地消除在有限范圍內的應變，但是發光器件的操作電壓Vf可能由于在應變消除層中的電壓損失而增加。

發明內容

技術問題

本實施方式提供能夠增加發光效率的發光器件、制造所述發光器件的方法、發光器件封裝及照明系統。

另外，本實施方式提供能夠通過使在應變消除層中的電壓損失最小化而降低操作電壓的發光器件、制造所述發光器件的方法、發光器件封裝及照明系統。

技術方案

根據本實施方式，所述發光器件可包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層上的Al_xIn_yGa_1-x-yN層(0<x≤1且0<y≤1)、在所述Al_xIn_yGa_1-xyN層上的有源層和在所述有源層上的第二導電半導體層。

有益效果

如上所述，該實施方式可提供能夠通過使在應變消除層中對發射光的吸收最少化而增加發光效率的發光器件、制造所述發光器件的方法、發光器件封裝及照明系統。

另外，該實施方式可提供發光器件，其能夠在應變消除層提供在有源層之下時通過降低在所述應變消除層和所述有源層之間的能帶不連續性而使在所述應變消除層中的電壓損失最小化，因此可降低操作電壓；制造所述發光器件的方法；發光器件封裝；以及照明系統。

附圖說明

圖1為說明根據該實施方式的發光器件的截面圖；

圖2為說明根據該實施方式的發光器件的帶隙能量作為晶格常數的函數的圖；

圖3說明根據現有技術的帶隙能量圖；

圖4為根據該實施方式的發光器件的帶隙能量圖；

圖5為說明在根據該實施方式的發光器件中的電流-電壓(I-V)特性的圖；

圖6～8為說明制造根據該實施方式的發光器件的方法的截面圖；

圖9為根據該實施方式的發光封裝的截面圖；

圖10～12為顯示包括根據該實施方式的發光器件的照明系統的實施例的分解透視圖。

具體實施方式

現在將詳細地描述本發明的實施方式，其實例在附圖中進行了說明。

在實施方式的描述中，應當理解的是，當層(或膜)被稱為在另一層或基板上時，其可直接在另一層或基板上或者也可存在插入層。此外，應當理解的是，當層被稱為在另一層之下時，其可直接在另一層下面，且也可存在一個或多個插入層。另外，還應當理解的是，當層被稱為在兩層之間時，其可為在這兩層之間的唯一層，或者也可存在一個或多個插入層。

(實施方案)

圖1為說明根據實施方式的發光器件100的截面圖。在下文中，雖然該實施方式參考涉及側向型發光器件的圖描述，但該實施方式不受此限制。