[發(fā)明專利]帶有多個(gè)管芯的封裝基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380028316.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-25 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104321863B | 公開（公告）日： | 2018-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | R·尼克森;N·霍姆伯格 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/12 | 分類號(hào)： | H01L23/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 張欣 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶有 管芯 封裝 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
封裝基板內(nèi)的第一管芯；
所述封裝基板內(nèi)的第二管芯，所述第二管芯具有大于所述第一管芯的寬度，且所述第二管芯耦接至所述第一管芯上表面；
至少一個(gè)第一管芯至基板連接，位于所述第一管芯和所述封裝基板之間的界面處并且整體在所述第一管芯的邊緣之內(nèi)，其中所述第一管芯至基板連接包括在所述第一管芯和電源總線之間的電耦合；以及
第二管芯至基板連接，位于所述第二管芯和所述封裝基板之間的界面處，在所述第一管芯邊緣以外且整體在所述第二管芯的邊緣之內(nèi)，其中所述第二管芯至基板連接經(jīng)由單個(gè)孔將所述第二管芯電耦合到所述電源總線。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述器件包括位于所述第一管芯和所述第二管芯之間的界面處的第一管芯至第二管芯連接，其中所述第一管芯至第二管芯連接是電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的器件，其中所述第一管芯至第二管芯連接是數(shù)據(jù)連接。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一管芯至基板連接以及第二管芯至基板連接是電源連接。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述至少一個(gè)第一管芯至基板連接包括至少一個(gè)數(shù)據(jù)連接以及至少一個(gè)電源連接。
6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一管芯是數(shù)字的。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第二管芯是模擬的。
8.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述封裝基板被配置為無焊內(nèi)建層封裝基板。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括：
內(nèi)嵌于第一封裝基板內(nèi)的第一管芯；
寬度大于所述第一管芯并耦接至所述第一管芯上表面的第二管芯；
第二管芯至第一管芯電連接，位于所述第一管芯和所述第二管芯之間的界面處并且整體在所述第一管芯的邊緣之內(nèi)；
第二管芯至第一封裝基板連接，位于所述第二管芯和所述第一封裝基板之間，在所述第一管芯邊緣以外且整體在所述第二管芯的邊緣之內(nèi)，其中所述第二管芯至第一封裝基板連接經(jīng)由單個(gè)孔將所述第二管芯電耦合到電源總線；
寬度大于第二管芯，并連接至第二管芯上表面的第二封裝基板；以及
第二封裝基板至第一封裝基板連接，位于第二封裝基板和第一封裝基板之間的界面處，在第二管芯邊緣以外，所述第二封裝基板至第一封裝基板連接將所述第二封裝基板耦合到所述電源總線。
10.如權(quán)利要求9所述的器件，包括位于所述第二管芯和所述第二封裝基板之間的界面處的第二封裝基板至第二管芯連接。
11.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第二封裝基板包括存儲(chǔ)器芯片。
12.如權(quán)利要求11所述的器件，其中所述第二封裝基板至第二管芯連接是雙數(shù)據(jù)率的數(shù)據(jù)連接。
13.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第一管芯至第二管芯連接是數(shù)據(jù)連接。
14.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第一管芯是數(shù)字的，所述第二管芯是模擬的。
15.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第一封裝基板被配置為無焊內(nèi)建層封裝基板。
16.如權(quán)利要求9所述的器件，其中所述第二管芯內(nèi)嵌于所述第一封裝基板中。
17.一種半導(dǎo)體管芯的封裝方法，包括：
預(yù)堆疊第一和第二管芯，其中所述第二管芯包括相比于所述第一管芯更大的寬度，且其中所述第二管芯被堆疊于所述第一管芯之上；
形成位于所述第一管芯和所述第二管芯之間的界面處的第一管芯至第二管芯連接，其中所述第一管芯至第二管芯連接是電連接；
在所述第一和第二管芯周圍形成第一封裝基板；以及
形成第二管芯至基板連接，所述第二管芯至基板連接位于所述第二管芯和所述第一封裝基板之間的界面處，在所述第一管芯邊緣以外且整體在所述第二管芯的邊緣之內(nèi)，所述第二管芯至基板連接經(jīng)由單個(gè)孔將所述第二管芯電耦合到電源總線。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中形成所述第一封裝基板包括形成無焊內(nèi)建層基板。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中預(yù)堆疊所述第一和第二管芯包括熱壓接合。
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