[發明專利]用于處理絕緣體上半導體結構以提高半導體層厚度均勻度的工藝

有效

• 申請號: 201380026524.1
• 申請日: 2013-05-01
• 公開（公告）號: CN104380447B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 沃爾特·施瓦岑貝格;卡里納·杜雷特;F·博迪特
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種用于處理絕緣體上半導體型結構的工藝，該絕緣體上半導體型結構依次包括支撐襯底（1）、介電層（2）和具有小于或等于100 nm的厚度的半導體層（3），所述半導體層（3）被犧牲氧化物層（4）覆蓋，其特征在于該工藝包括以下步驟：

-在分布在所述結構的表面上的多個點處測量所述犧牲氧化物層（4）和所述半導體層（3）的厚度，以根據所述測量生成所述半導體層（3）的厚度的繪圖并確定所述半導體層（3）的平均厚度，

-選擇性刻蝕所述犧牲氧化物層（4）以暴露所述半導體層（3），以及

-對所述半導體層（3）執行化學刻蝕，根據所述半導體層（3）的平均厚度的所述繪圖來調整所述化學刻蝕的施加、溫度和/或持續時間條件，從而在所述測量步驟結束時將所述半導體層（3）至少局部地減薄被識別為高出的厚度的厚度，其中，所述高出的厚度對應于根據所述測量獲得的所述半導體層（3）的厚度與目標厚度之間的差異，所述目標厚度小于或等于所述平均厚度。

2.根據權利要求1所述的工藝，所述工藝應用于批次的絕緣體上半導體結構，其特征在于，在厚度測量結束時，依據所述半導體層（3）的平均厚度級別對所述結構進行分類，并且對屬于同一個級別的所有結構在相同條件下執行化學刻蝕。

3.根據權利要求2所述的工藝，其特征在于，通過將同一個級別的所有結構同時浸入化學刻蝕溶液的容器中來執行所述化學刻蝕。

4.根據權利要求2和3中任一項所述的工藝，其特征在于，預先定義了從3個至6個的平均厚度級別。

5.根據權利要求2至3中任一項所述的工藝，其特征在于，所述平均厚度級別具有從0.3 nm至0.5 nm的寬度。

6.根據權利要求1所述的工藝，其特征在于，從所述半導體層（3）的厚度的所述繪圖開始，將至少一個區域確定為具有要被減薄的高出的厚度，以在所述結構內將所述半導體層（3）的厚度標準化。

7.根據權利要求6所述的工藝，其特征在于，在所述半導體層（3）的所述化學刻蝕期間，對所述層（3）的要被減薄的所述至少一個區域進行局部加熱，以在所述區域提供更大的減薄。

8.根據權利要求6和7中任一項所述的工藝，其特征在于，通過在所述半導體層（3）的表面上進行噴灑，所述化學刻蝕溶液被選擇性地分布，以將更大量的溶液沉積在要被減薄的所述至少一個區域上。

9.根據權利要求6至7中任一項所述的工藝，其特征在于，在所述半導體層（3）的所述化學刻蝕期間，所述刻蝕溶液被施加到要被減薄的所述區域的持續時間大于施加到所述層（3）的其余部分的持續時間。

10.根據權利要求1所述的工藝，所述工藝在針對絕緣體上半導體型結構的批次制造的工藝中實現，其目的是，使構成所述批次的結構的所述半導體層（3）的平均厚度相對于由同一工藝制造的另一批次的半導體層（3）的平均厚度標準化，其特征在于，在所述厚度測量結束時，計算所述批次的所述半導體層（3）的平均厚度，將平均厚度級別分配給所述批次，并且對所述批次整體執行所述半導體層（3）的化學刻蝕，根據所述平均厚度級別調整所述化學刻蝕的施加、溫度和/或持續時間條件。

11.根據權利要求1至3、6、7和10中的一項所述的工藝，其特征在于，所述半導體層（3）的所述化學刻蝕是SC1類型。

12.根據權利要求1至3、6、7和10中的一項所述的工藝，其特征在于，由氫氟酸執行所述犧牲氧化物層（4）的所述選擇性刻蝕。

13.根據權利要求1至3、6、7和10中的一項所述的工藝，其特征在于，通過橢圓測量術進行所述厚度測量。

14.一種用于制造絕緣體上半導體型結構的工藝，所述絕緣體上半導體型結構依次包括支撐襯底（1）、介電層（2）和具有小于或等于100 nm的厚度的半導體層（3），所述工藝包括以下步驟：

-提供被稱為施主襯底的襯底，所述襯底包括所述半導體層（3），

-在所述半導體層和/或所述支撐襯底（1）上形成至少一個介電層，

-將所述支撐襯底（1）粘附地鍵合到所述施主襯底的所述半導體層（3），所述至少一個介電層處于鍵合界面處，以形成所述絕緣體上半導體結構的所述介電層（2），

-將所述半導體層（3）轉移至所述支撐襯底（1），

-將所述半導體層（3）平滑化，

-在所述半導體層（3）上形成犧牲氧化物層（4），

所述工藝的特征在于，在由此形成的所述結構上執行根據權利要求1至3、6、7和10中的一項所述的處理。