[發明專利]層疊體有效
| 申請號: | 201380026125.5 | 申請日: | 2013-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN104379340A | 公開(公告)日: | 2015-02-25 |
| 發明(設計)人: | 福本晴彥;小田川健二;臼井英夫;高橋英一;高木斗志彥;高野雅子;中村修;進藤清孝 | 申請(專利權)人: | 三井化學株式會社;三井化學東賽璐株式會社 |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00;B32B27/00;B32B37/00;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 層疊 | ||
技術領域
提供氧、水蒸氣阻隔性優異的層疊體。
背景技術
近年來,隔絕氧、水蒸氣等氣體的透明氣體阻隔材料不僅用于一直以來的主要用途即食品、醫藥品等的包裝材料用途,而且也逐漸用于液晶顯示器這樣的平板顯示器(FPD)、太陽能電池用的構件(基板、背板等)、有機電致發光(有機EL)元件用的柔性基板、密封膜等電子構件。在這些用途中,要求非常高的氣體阻隔性。
目前,對于已在一部分的用途中采用的透明氣體阻隔材料而言,有利用蒸鍍法、等離子體CVD法、濺射法、離子鍍法、催化劑CVD法這樣的干法工藝,將顯示氣體阻隔性的硅、鋁的氧化物、氮化物、及它們的混合物堆積到塑料基材上的方法。然而,干法工藝中,有時部分地形成未堆積的部分(針孔)這樣的微小缺陷,損害氣體阻隔性。
作為其解決辦法,提出了在利用干法工藝制作的硅、鋁的氧化物、氮化物、及它們的混合物層上涂布以水溶性高分子、和含有(a)1種以上的醇鹽或/及其水解物或(b)氯化錫的至少任一種的水溶液、或水/醇混合溶液為主劑的涂覆劑而得到的層疊膜(專利文獻1),或涂覆不飽和羧酸金屬鹽的聚合物層(專利文獻2)這樣的與有機層的層疊化,報道了1個量級左右的阻隔性提升。然而,在要求高度的氣體阻隔性能的電子構件用途中,阻隔性能依然不充分。
現有技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開平6-316025號公報
[專利文獻2]日本特開2010-42574號公報
[專利文獻3]國際公開2011/7543號小冊子
發明內容
[發明所要解決的課題]
本發明的目的在于提供具有能用于電子構件的充分的氣體阻隔性能的層疊體。
[用于解決課題的手段]
本發明人等進行了深入研究,結果發現,通過將在規定的條件下向聚硅氮烷膜照射等離子體等能量射線而得到的含硅層、和由有機酸金屬鹽得到的聚合物層層疊,能得到針孔等缺陷少、具有充分的氧氣阻隔性能及水蒸氣阻隔性能、而且耐彎屈性優異的層疊體。
即,本發明可如下所示。
[1]一種層疊體,其包括基材(A)、在上述基材(A)的至少一個面上依次層疊的含硅層(B)、和由具有聚合性基團的有機酸金屬鹽得到的聚合物層(C),
上述含硅層(B)具有含有硅原子和氮原子、或硅原子和氮原子和氧原子、或硅原子和氮原子和氧原子和碳原子的氮高濃度區域,
上述氮高濃度區域是通過在氧濃度為5%以下及/或室溫23℃下的相對濕度為30%以下的條件下,對在上述基材(A)上形成的聚硅氮烷膜進行能量射線照射,將該膜的至少一部分改性而形成的。
[2][1]所述的層疊體,其中,上述氮高濃度區域的利用X射線光電子能譜法測得的下式(1)表示的氮原子的組成比為0.01以上、1以下的范圍。
式(1):氮原子的組成比/(氧原子的組成比+氮原子的組成比)
[3][1]或[2]所述的層疊體,其中,上述聚硅氮烷膜是通過利用選自棒式涂布法、輥式涂布法、凹版涂布法、噴霧涂布法、氣刀涂布法、旋轉涂布法、浸漬涂布法中的方法將含有聚硅氮烷的溶液涂布到上述基材(A)上而形成的。
[4][1]~[3]中任一項所述的層疊體,其中,上述聚合物層(C)是在形成于上述基材(A)上的具有氮高濃度區域的上述含硅層(B)上形成上述具有聚合性基團的有機酸金屬鹽膜,利用紫外線、電子束或熱將上述有機酸金屬鹽膜聚合而得到的。
[5][1]~[4]中任一項所述的層疊體,其中,上述能量射線照射是通過等離子體照射進行的。
[6][5]所述的層疊體,其中,上述等離子體照射是在選自非活性氣體、稀有氣體或還原氣體中的氣氛下進行的。
[7][5]或[6]所述的層疊體,其中,上述等離子體照射是在氧濃度為5000ppm以下、且水蒸氣濃度為8400ppm以下的條件下進行的。
[8][1]~[7]中任一項所述的層疊體,其中,上述聚硅氮烷膜是選自全氫聚硅氮烷、有機聚硅氮烷、及它們的衍生物中的1種以上。
[9][1]~[8]中任一項所述的層疊體,其中,上述有機酸金屬鹽是選自羧酸、磺酸、巰基酸中的1種以上的有機酸的金屬鹽。
[10][1]~[9]中任一項所述的層疊體,其中,上述聚合性基團是選自乙烯基、環氧基、巰基、脲基、硫醚基、異氰酸酯基、氨基、羥基、鹵素原子、噁唑啉基、碳二亞胺基或它們的衍生物中的1種以上的聚合性基團。
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