[發明專利]發光器件、發光器件包裝和光設備

有效

• 申請號: 201380025710.3
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN104303323B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 丁煥熙;金昭廷
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 陳海濤,穆德駿

技術領域

本發明涉及一種發光器件、發光器件包裝和光設備。

背景技術

發光二極管(LED)已經被廣泛用作發光器件中的一種。所述LED通過使用復合半導體的特性將電信號轉化成光的形式如近紅外光、紫外光和可見光。

隨著發光器件光效率的提高，已經將LED用于各種領域如顯示裝置和照明電器中。

發明內容

技術問題

本發明提供一種能夠在提高光強度的同時控制光的取向角的發光器件、發光器件包裝和光設備。

技術方案

根據本發明的發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；反射電極，所述反射電極設置在所述發光結構下并包括在所述第二導電半導體層下的第一區域和從所述第一區域延伸穿過所述第二導電半導體層和所述有源層的第二區域；以及電連接到所述第一導電半導體層的電極。

根據本發明的發光器件包裝包括：主體；在所述主體上的發光器件；以及電連接到所述發光器件的第一引線電極和第二引線電極，其中所述發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；反射電極，所述反射電極設置在所述發光結構下并包括在所述第二導電半導體層下的第一區域和從所述第一區域延伸穿過所述第二導電半導體層和所述有源層的第二區域；以及電連接到所述第一導電半導體層的電極。

根據本發明的光設備包括：基材；在所述基材上的發光器件；和光學構件，所述光學構件充當發射自所述發光器件的光的光學通道，其中所述發光器件包括：發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；反射電極，所述反射電極設置在所述發光結構下并包括在所述第二導電半導體層下的第一區域和從所述第一區域延伸穿過所述第二導電半導體層和所述有源層的第二區域；以及電連接到所述第一導電半導體層的電極。

有益效果

本發明的發光器件、發光器件包裝和光設備具有能夠調整取向角并改善光強度的優點。

附圖說明

圖1是顯示根據本發明的發光器件的視圖。

圖2和3是顯示應用于根據本發明的發光器件的反射電極和絕緣層的布置的視圖。

圖4～8是顯示制造根據本發明的發光器件的方法的視圖。

圖9是顯示改進的根據本發明的發光器件的視圖。

圖10是顯示根據本發明的發光器件包裝的視圖。

圖11是顯示根據本發明的顯示裝置的視圖。

圖12是顯示根據本發明的顯示裝置的另一個實例的視圖。

圖13～15是顯示根據本發明的發光裝置的視圖。

圖16和17是顯示根據本發明的發光裝置的另一個實例的視圖。

具體實施方式

在本發明的說明書中，應理解，當指層(或膜)、區域、圖案或結構在另一個基材、另一個層(或膜)、另一個區域、另一個墊或另一個圖案“上”或“下”時，其能夠“直接”或“間接”地在其它基材、層(或膜)、區域、墊或圖案上方，或還可存在一個或多個插入層。已經參考附圖對所述層的這種位置進行了描述。

為了方便或清晰，示于附圖中的各個層的厚度和尺寸可以放大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸不完全反應實際尺寸。

下文中，將參考附圖對根據本發明的發光器件、發光器件包裝、光設備和制造所述發光器件的方法進行詳細說明。

圖1是顯示根據本發明的發光器件的視圖。

如圖1中所示，根據本發明的發光器件可以包括發光結構10、反射電極17和電極80。

發光結構10可以包括第一導電半導體層11、有源層12和第二導電半導體層13。所述有源層12可以設置在第一導電半導體層11與第二導電半導體層13之間。有源層12可以設置在第一導電半導體層11之下，且第二導電半導體層13可以設置在有源層12之下。

例如，第一導電半導體層11可以包含摻雜有充當第一導電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導體層，且第二導電半導體層13可以包含摻雜有充當第二導電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導體層。另外，第一導電半導體層11可以包含P型半導體層，且第二導電半導體層13可以包含N型半導體層。

例如，第一導電半導體層11可以包含N型半導體層。第一導電半導體層11可以通過使用復合半導體來實現。第一導電半導體層11可以通過使用II～VI族復合半導體、或III～V族復合半導體來實現。