[發明專利]發光器件、發光器件包裝和光設備有效
| 申請號： | 201380025710.3 | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN104303323B | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 丁煥熙;金昭廷 | 申請（專利權）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人： | 陳海濤,穆德駿 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 包裝 設備 | ||
1.一種發光器件，所述發光器件包含：
發光結構，所述發光結構包含第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；
反射電極，所述反射電極布置在所述發光結構下，并包含在所述第二導電半導體層下的第一區域和從所述第一區域延伸并穿過所述第二導電半導體層和所述有源層的第二區域；
設置在所述反射電極下的金屬層；以及
電連接到所述第一導電半導體層的電極，
其中從所述反射電極的第二區域延伸的所述反射電極的最上面與所述電極在垂直方向上重疊，
其中所述金屬層與所述第二導電半導體層的底面接觸，
其中所述金屬層的第一區域的位置高于所述有源層，所述金屬層的第二區域與所述第二導電半導體層的底面接觸，
其中所述金屬層的第三區域從所述金屬層的第二區域向外延伸，
其中所述金屬層的第三區域暴露于所述發光結構的下外圍部。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的最上面設置在所述第一導電半導體層中，
其中所述反射電極的第三區域設置在所述第一導電半導體層中。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的第二區域以向上的方向對發射自所述有源層的光進行反射，
其中暴露于所述發光結構的下外圍部的所述金屬層的寬度為30μm～40μm。
4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的第二區域包圍所述有源層。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的第二區域包圍所述第二導電半導體層。
6.根據權利要求1所述的發光器件，還包含在所述反射電極的第二區域與所述第一導電半導體層之間的絕緣層。
7.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述絕緣層包含絕緣離子植入層。
8.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述絕緣層設置在所述反射電極與所述有源層之間。
9.根據權利要求1所述的發光器件，還包含在所述反射電極的第一區域與所述第二導電半導體層之間的歐姆接觸層。
10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述金屬層與所述反射電極的第二區域接觸。
11.根據權利要求10所述的發光器件，還包含在所述金屬層下的結合層和支持構件。
12.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述電極與所述第一導電半導體層的頂面接觸。
13.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的最上面的寬度是所述電極的寬度的一到四倍。
14.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述電極的寬度為15μm～18μm。
15.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述反射電極的最上層的寬度為15μm～17μm。
16.一種發光器件包裝，所述發光器件包裝包含：
主體；
在所述主體上的發光器件；以及
電連接到所述發光器件的第一引線電極和第二引線電極，
其中所述發光器件包含：
發光結構，所述發光結構包含第一導電半導體層、在所述第一導電半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電半導體層；
反射電極，所述反射電極布置在所述發光結構下，并包含在所述第二導電半導體層下的第一區域和從所述第一區域延伸并穿過所述第二導電半導體層和所述有源層的第二區域；
設置在所述反射電極下的金屬層；以及
電連接到所述第一導電半導體層的電極，
其中從所述反射電極的第二區域延伸的所述反射電極的最上面與所述電極在垂直方向上重疊，
其中所述金屬層與所述第二導電半導體層的底面接觸，
其中所述金屬層的第一區域的位置高于所述有源層，所述金屬層的第二區域與所述第二導電半導體層的底面接觸，
其中所述金屬層的第三區域從所述金屬層的第二區域向外延伸，
其中所述金屬層的第三區域暴露于所述發光結構的下外圍部。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG伊諾特有限公司，未經LG伊諾特有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380025710.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
