[發(fā)明專利]冷卻機(jī)構(gòu)和處理系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380025694.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104303284B | 公開(公告)日: | 2016-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 熊谷圭太;佐佐木義明;菊島博人;井富隼人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;F24F7/06;F24F13/08;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 冷卻 機(jī)構(gòu) 處理 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于冷卻半導(dǎo)體晶圓等被處理體的冷卻機(jī)構(gòu)和使用該冷卻機(jī)構(gòu)的處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)
通常,在制造半導(dǎo)體器件時(shí),對(duì)半導(dǎo)體晶圓反復(fù)進(jìn)行成膜處理、氧化擴(kuò)散處理、改性處理、蝕刻處理、退火處理等各種處理。另外,為了有效地進(jìn)行所述各種處理,已知有例如專利文獻(xiàn)1等所公開那樣的所謂組合設(shè)備型的處理系統(tǒng)。在該處理系統(tǒng)中,處于真空氣氛的共用輸送室與多個(gè)單片式的處理室連結(jié),經(jīng)由該共用輸送室向各處理室輸送半導(dǎo)體晶圓并依次進(jìn)行需要的處理。
在該情況下,所述共用輸送室與一個(gè)或多個(gè)能夠選擇性地實(shí)現(xiàn)真空氣氛狀態(tài)和大氣壓氣氛狀態(tài)的小容量加載互鎖裝置連結(jié)。另外,為了在真空氣氛的所述共用輸送室與大致大氣壓的外部之間輸入、輸出半導(dǎo)體晶圓,而將所述加載互鎖裝置內(nèi)選擇性地設(shè)定為真空氣氛狀態(tài)或大氣壓氣氛狀態(tài),從而在不破壞所述共用輸送室內(nèi)的真空氣氛的情況下進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的輸入、輸出操作。在此,所述加載互鎖裝置具有冷卻機(jī)構(gòu)、例如冷卻板等,該冷卻機(jī)構(gòu)用于將因所述處理室內(nèi)的各種熱處理而成為高溫狀態(tài)的半導(dǎo)體晶圓冷卻到安全的溫度、例如100℃左右,在半導(dǎo)體晶圓冷卻到100℃以下的溫度后向外部取出該半導(dǎo)體晶圓。
另外,作為用于冷卻所述半導(dǎo)體晶圓的方法,還提出了如下提案:使用形成于大氣壓氣氛的輸送室的下降流進(jìn)行冷卻(專利文獻(xiàn)2等)、或者在大氣壓氣氛的輸送室內(nèi)設(shè)置冷卻站(專利文獻(xiàn)3等)。此外,作為半導(dǎo)體晶圓的冷卻機(jī)構(gòu),還具有這樣的提案:設(shè)置配置有冷卻配管的冷卻板(專利文獻(xiàn)4)、在冷卻板的中央部設(shè)置凸?fàn)畹奈讲慷行У乩鋮s晶圓、特別是晶圓的中央部(專利文獻(xiàn)5)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-027378號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-253683號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特表2005-518655號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:日本特開2002-057092號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)5:日本特開平11-330212號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題
然而,最近,為了簡(jiǎn)化處理系統(tǒng),而提出了一種僅將用于在大氣壓氣氛中而非真空氣氛中對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行處理的處理室集合而成的處理系統(tǒng)。其中,在本說明書中,對(duì)于“大氣壓氣氛”,并非準(zhǔn)確指大氣的壓力,而是與減壓的真空氣氛相對(duì)立的用語(yǔ),實(shí)際上將相對(duì)于大氣壓而言為±0.01Torr左右的壓力范圍稱作“大氣壓氣氛”。作為在這樣的大氣壓氣氛中進(jìn)行的處理,對(duì)應(yīng)有例如退火處理、氧化擴(kuò)散處理、改性處理等。
在所述那樣的大氣壓氣氛下進(jìn)行熱處理的情況下,不需要用于選擇性地實(shí)現(xiàn)真空氣氛狀態(tài)和大氣壓氣氛狀態(tài)的所述加載互鎖裝置,能夠?qū)⑻幚硎遗c大氣壓氣氛的輸送室直接連結(jié)。在該情況下,為了將晶圓冷卻到搬運(yùn)溫度,需要將設(shè)于所述加載互鎖裝置的冷卻機(jī)構(gòu)另外獨(dú)立地設(shè)置,但所述專利文獻(xiàn)2~4所示那樣的冷卻機(jī)構(gòu)為復(fù)雜的結(jié)構(gòu),尋求一種結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單的冷卻機(jī)構(gòu)。
本申請(qǐng)的一發(fā)明的目的在于提供一種能夠在大氣輸送室內(nèi)有效地冷卻被處理體的冷卻機(jī)構(gòu)和使用該冷卻機(jī)構(gòu)的處理系統(tǒng)。
用于解決問題的方案
一技術(shù)方案提供一種冷卻機(jī)構(gòu),其特征在于,
該冷卻機(jī)構(gòu)包括:
多個(gè)支承臺(tái),其設(shè)于形成有下降流的大氣輸送室,且多個(gè)該支承臺(tái)沿上下方向設(shè)為多層,
多個(gè)支承銷,其設(shè)于各所述支承臺(tái),用于與所述被處理體的背面相接觸而支承所述被處理體;和
折流板,其設(shè)于所述支承臺(tái),用于利用所述下降流冷卻被支承在位于該折流板所設(shè)的支承臺(tái)的下層的支承臺(tái)上的所述被處理體。
另一技術(shù)方案提供一種冷卻機(jī)構(gòu),其特征在于,該冷卻機(jī)構(gòu)包括:多個(gè)支承臺(tái),其設(shè)于大氣輸送室,且沿上下方向設(shè)為多層;多個(gè)支承銷,其設(shè)于各所述支承臺(tái),用于與所述被處理體的背面接觸而支承所述被處理體;冷卻部件,其用于冷卻所述被處理體的中央部。
另一技術(shù)方案提供一種冷卻機(jī)構(gòu),其特征在于,該冷卻機(jī)構(gòu)包括:多個(gè)支承臺(tái),其設(shè)于形成有下降流的大氣輸送室,且多個(gè)該支承臺(tái)沿上下方向設(shè)為多層;多個(gè)支承銷,其設(shè)于各所述多支承臺(tái),用于與所述被處理體的背面接觸而支承所述被處理體;以及側(cè)部冷卻部件,其從支承于所述支承臺(tái)的所述被處理體的側(cè)部放出冷卻氣體,從而使該冷卻氣體沿著所述被處理體的表面流動(dòng)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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