[發明專利]冷卻機構和處理系統有效
| 申請號: | 201380025694.8 | 申請日: | 2013-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN104303284B | 公開(公告)日: | 2016-10-26 |
| 發明(設計)人: | 熊谷圭太;佐佐木義明;菊島博人;井富隼人 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;F24F7/06;F24F13/08;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 冷卻 機構 處理 系統 | ||
1.一種冷卻機構,其特征在于,
該冷卻機構包括:
多個支承臺,其設于形成有下降流的大氣輸送室,多個該支承臺沿上下方向設為多層;
多個支承銷,其設于各所述支承臺,用于與所述被處理體的背面相接觸而支承所述被處理體;和
側部冷卻部件,其從支承于所述支承臺的所述被處理體的側部放出冷卻氣體,且使所述冷卻氣體沿著所述被處理體的表面流動。
2.根據權利要求1所述的冷卻機構,其特征在于,
所述側部冷卻部件具有:
冷卻氣體通路,其供所述冷卻氣體流動;和
氣體出口部,其設在所述冷卻氣體通路的出口側且位于所述被處理體的側方。
3.根據權利要求2所述的冷卻機構,其特征在于,
所述冷卻氣體通路沿上下方向延伸且上端形成為用于引入所述下降流的引入口,以將所述下降流用作所述冷卻氣體。
4.根據權利要求3所述的冷卻機構,其特征在于,
所述氣體出口部具有與所述被處理體相對應地以沿橫向延伸的方式形成的多個氣體放出口,且設有以分隔各氣體放出口的方式沿著所述冷卻氣體通路內延伸的多個引導分隔板。
5.根據權利要求4所述的冷卻機構,其特征在于,
所述引導分隔板由垂直部分、曲面部分、水平部分形成。
6.根據權利要求4所述的冷卻機構,其特征在于,
所述氣體放出口的開口面積被設定為:自所述氣體放出口放出的所述冷卻氣體的流速相同。
7.根據權利要求6所述的冷卻機構,其特征在于,
所述冷卻氣體的流速在0.3m/sec~1.5m/sec的范圍內。
8.根據權利要求4所述的冷卻機構,其特征在于,
各所述氣體放出口的高度位置被設定為位于沿上下方向支承在多層的所述被處理體之間。
9.根據權利要求1所述的冷卻機構,其特征在于,
所述冷卻氣體通路是供非活性氣體流動的通路。
10.一種處理系統,其特征在于,
該處理系統包括:
大氣壓氣氛的大氣輸送室;
多個處理室,其與所述大氣輸送室連結,用于在大氣壓氣氛下對被處理體進行規定的處理;
用于冷卻所述被處理體的權利要求1所述的冷卻機構;以及
輸送機構,其用于在所述處理室與所述冷卻機構之間輸送所述被處理體。
11.根據權利要求10所述的處理系統,其特征在于,
所述輸送機構具有用于保持高溫的所述被處理體的高溫用拾取件和用于保持低溫的所述被處理體的低溫用拾取件。
12.根據權利要求11所述的處理系統,其特征在于,
在所述拾取件設有用于檢測是否存在所述被處理體的檢測傳感器。
13.根據權利要求12所述的處理系統,其特征在于,
所述檢測傳感器具有發光元件和受光元件,所述發光元件的光軸被設定為穿過所述被處理體的平面且相對于平面方向稍微傾斜。
14.根據權利要求10所述的處理系統,其特征在于,
在所述大氣輸送室形成有凈化氣體的下降流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





