[發(fā)明專利]多層膜和光伏模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380025586.0 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN104350609B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金賢哲;程在植;安度源 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;B32B27/20 |
| 代理公司: | 北京金信知識產(chǎn)權代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 模塊 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及對所有的紫外光區(qū)、可見光區(qū)和紅外光區(qū)具有優(yōu)異的反射率的多層膜以及能夠預期總能量轉(zhuǎn)化效率提高的光伏模塊。
背景技術
近來,因為全球環(huán)境問題和化石燃料的枯竭,人們對可再生和清潔能源的關注正在增長,并且在這些能源中,太陽能作為可解決環(huán)境污染和化石燃料枯竭問題的代表性無污染能源已經(jīng)引起了關注。
應用產(chǎn)生太陽能的原理的光伏電池是一種將日光轉(zhuǎn)化為電能的裝置。因為所述光伏電池需要長時間暴露于外部環(huán)境以促進日光的吸收,所以光伏電池通過進行各種包裝步驟以單元形式形成以保護電池。所述單元被稱為光伏模塊。
但是,光伏電池的能量轉(zhuǎn)化效率相對低。日光有包括紫外光區(qū)、可見光區(qū)和紅外光區(qū)的廣泛波長區(qū),但是用于光伏電池的波長區(qū)受限制,并且即使在廣泛波長區(qū)的光入射到所述光伏模塊,所述光伏電池的吸收率仍低。
據(jù)此,需要能夠通過最大限度地利用入射光而預期總能量轉(zhuǎn)化效率提高的光伏模塊。
發(fā)明內(nèi)容
技術問題
本申請旨在提供一種多層膜,其通過提高對紫外光區(qū)的反射率而對所有的紫外光區(qū)、可見光區(qū)和紅外光區(qū)具有優(yōu)異的反射率。
本申請還旨在提供一種光伏模塊,其通過提高設置在光伏電池之下的密封材料或背板的對紫外光區(qū)的反射率而對所有的紫外光區(qū)、可見光區(qū)和紅外光區(qū)具有優(yōu)異的能量轉(zhuǎn)化效率。
技術方案
本申請的一個方面可提供一種在不同層中包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子和帶隙能低于3.3eV的無機粒子的多層膜,并且與所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層相比,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層被設置在上部。
在本申請的一個實施方式中,所述多層膜可以是密封光伏模塊的密封材料或用于光伏模塊的背板,或整合密封材料和背板的產(chǎn)物。
本申請的另一個方面可提供一種光伏模塊,其包括多層密封材料和/或背板,所述多層密封材料和/或背板各自包括所述多層膜。
有益效果
根據(jù)本申請的示例性實施方式,提供了一種在不同層中包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子和帶隙能低于3.3eV的無機粒子的多層膜,其中,朝向入射光(即,基于入射光),與所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層相比,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層被設置在上部,并且因此可以增加對紫外光區(qū)以及可見光區(qū)和紅外光區(qū)的反射率。據(jù)此,紫外光區(qū)的入射光可以通過帶隙能為3.3eV以上的無機粒子反射以便在光伏模塊前部上再次內(nèi)部反射,從而提高能量轉(zhuǎn)化效率。
附圖說明
圖1是顯示光伏模塊入射光的反射的示意圖;
圖2是市售光伏電池的日光吸收光譜;
圖3到5是根據(jù)本申請的示例性實施方式的光伏模塊的剖視圖;
圖6和7是根據(jù)實施例和對比實施例中制備的樣品根據(jù)波長的反射光譜;以及
圖8和9是實施例和對比實施例中制備的樣品的反射率的圖表。
A:帶隙能為3.3eV以上的無機粒子
B:帶隙能低于3.3eV的無機粒子
1:光伏模塊
10:包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的密封材料層
11:包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的密封材料層
2:光伏模塊
20:包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的密封材料層
21:包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的密封材料層
3:光伏模塊
30:包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的密封材料
31:包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的背板
具體實施方式
下面,將參照附圖進一步詳細描述本申請的實施方式。為清楚和簡潔的緣故,可以從說明書和附圖中省略常規(guī)或通用的功能或構造。為提供清晰的說明,可以放大在圖中顯示的層和區(qū)的厚度、尺寸、比例和形狀,并且因此對本申請的范圍沒有影響。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





