[發明專利]多層膜和光伏模塊有效
| 申請號: | 201380025586.0 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN104350609B | 公開(公告)日: | 2016-11-23 |
| 發明(設計)人: | 金賢哲;程在植;安度源 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;B32B27/20 |
| 代理公司: | 北京金信知識產權代理有限公司 11225 | 代理人: | 朱梅;徐琳 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 模塊 | ||
1.一種多層膜,其在不同層中包含:
帶隙能為3.3eV以上的無機粒子;以及
帶隙能低于3.3eV的無機粒子,
其中,與包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層相比,包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層被設置在上部。
2.根據權利要求1所述的膜,其中,與所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層相比,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層被設置成更接近入射光。
3.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層對紫外光的反射率比所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層對紫外光的反射率高。
4.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層被設置在光伏電池之下。
5.根據權利要求1所述的膜,其中,所述多層膜對在280nm到400nm波長范圍內的紫外光的反射率為10%以上,并且對在400nm到1200nm波長范圍內的可見光的反射率為60%以上。
6.根據權利要求1所述的膜,其中,所述帶隙能為3.3eV以上的無機粒子為選自硫酸鋇(BaSO4)、氮化鋁(AlN)、氮化硼(BN)、砷化硼(B12As2)、氮化鎵(GaN)、硫化鋅、氧化鋅和氧化錫中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的膜,其中,所述帶隙能低于3.3eV的無機粒子為選自二氧化鈦(TiO2)、砷化鋁(AlAs)、砷化鎵(GaAs)、硫化鎵(GaS)、硫化錫(SnS)、硫化鉛(PbS)、碳化硅(SiC)和鈦酸鋇(BaTiO3)中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的膜,進一步包括至少一個透明層,
其中,所述至少一個透明層被設置在所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層之上,在所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層之間,或在所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層之下。
9.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層包括基體樹脂,并且,相對于100重量份的基體樹脂,所述帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的量為10到200重量份。
10.根據權利要求9所述的膜,其中,所述基體樹脂是熱塑性樹脂、熱固性樹脂或其混合物。
11.根據權利要求10所述的膜,其中,所述基體樹脂為聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂、基于氟的樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、聚丙烯腈樹脂、基于芳香族乙烯基的樹脂、硅烷改性烯烴樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯樹脂或其混合物。
12.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層的厚度為1到1000μm。
13.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層的厚度為1到1000μm。
14.根據權利要求1所述的膜,其中,所述包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和所述包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層的至少一種進步一步包括選自抗氧化劑、光穩定劑、熱穩定劑和紫外穩定劑中的至少一種。
15.一種光伏模塊,其包括:
多層密封材料;和/或
背板,
其中,所述背板包括權利要求1所述的多層膜。
16.根據權利要求15所述的模塊,其中,所述密封材料具有多層結構,所述多層結構包括包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層。
17.根據權利要求15所述的模塊,其中,所述背板具有多層結構,所述多層結構包括包含帶隙能為3.3eV以上的無機粒子的層和包含帶隙能低于3.3eV的無機粒子的層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





