[發明專利]n型光吸收層用合金及其制造方法以及太陽能電池

有效

• 申請號: 201380025435.5
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN104285279B
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 吉野賢二;永岡章;廣瀨俊和;山下三香
• 申請（專利權）人: 日本麥可羅尼克斯股份有限公司;國立大學法人宮崎大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L31/032;H01L31/0749
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 金鮮英,何楊

1.一種n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，是包含銅、銦、鎵、硒和IIb族元素的n型光吸收層用合金的制造方法，其具備下述工序：

將銅、銦、鎵混合，使其在1000～1100℃結晶化而制作CIG合金的第1工序，

將所述CIG合金粉碎而制成CIG合金粉末的第2工序，以及

在粉碎了的所述CIG合金粉末中混合硒、和由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物，使其在1000～1100℃結晶化而制作n型CIGS合金的第3工序。

2.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述第1工序與所述第3工序中，在1000～1100℃從熔液使結晶生長而生成多晶。

3.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硒化鎘。

4.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硒化鋅。

5.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硫化鎘。

6.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硫化鋅。

7.根據權利要求1所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序和所述第3工序中，混合后的原材料被真空封入到安瓿中。

8.根據權利要求7所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿被碳覆蓋。

9.根據權利要求7所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿為石英玻璃。

10.一種n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，是包含銅、銦、鎵、硒、硫和IIb族元素的n型光吸收層用合金的制造方法，

其具備下述工序：將銅、銦、鎵混合使其在1000～1100℃結晶化而制造CIG合金的第1工序，

將所述CIG合金粉碎而制造CIG合金粉末的第2工序，以及

在粉碎了的所述CIG合金粉末中混合硒、硫和由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物，使其在1000～1100℃結晶化而制造n型CIGSS合金的第3工序。

11.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，

在所述制造CIG合金的第1工序中，在1000～1100℃從熔液使結晶生長而生成多晶，

所述制造n型CIGSS合金的第3工序具備下述步驟：通過升溫使溫度在180～220℃維持一定時間的第一步驟；以及將溫度在1000～1100℃維持一定時間的第二步驟。

12.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，

在所述第1工序和所述第3工序中，混合后的原材料被真空封入到安瓿中。

13.根據權利要求12所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿被碳覆蓋。

14.根據權利要求12所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述安瓿為石英玻璃。

15.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硒化鎘。

16.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，所述由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硒化鋅。

17.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硫化鎘。

18.根據權利要求10所述的n型光吸收層用合金的制造方法，其特征在于，由IIb族元素與VIb族元素構成的化合物為硫化鋅。

19.一種n型光吸收層用濺射靶的制造方法，其特征在于，具備：將通過權利要求1或10所述的n型光吸收層用合金的制造方法制造的n型光吸收層用合金切片來制造n型光吸收層用濺射靶的切片工序。