[發明專利]攝像元件以及攝像裝置在審
| 申請號: | 201380025105.6 | 申請日: | 2013-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN104303302A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 鈴木智 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;G02B7/34;G03B3/00;H04N5/369;H04N9/07;H04N13/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 元件 以及 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及攝像元件以及攝像裝置。
背景技術
已知有使用單獨的攝影光學系統通過一次拍攝生成具有視差的兩個視差圖像的攝像裝置。
在先技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2003-7994號公報
發明內容
發明所要解決的課題
在上述攝像裝置中,對各像素設置有用于生成視差圖像的、截斷入射光束的遮光部件。但是,因為遮光部件遠離光電轉換元件地設置,所以存在在遮光部件與開口部分的邊界處產生的衍射光等不需要的光到達光電轉換元件的情況。
用于解決課題的方法
本發明的第一實施方式中的攝像元件具備:光電轉換元件,其將入射光光電轉換為電信號,并且二維地排列;以及反射率調整膜,其形成在光電轉換元件中的至少一部分的各個受光面上,并且至少包含具有第一反射率的第一部分以及具有與第一反射率不同的第二反射率的第二部分。
本發明的第二實施方式中的攝像裝置具備上述攝像元件以及圖像處理部,所述圖像處理部根據攝像元件的輸出生成相互具有視差的多個視差圖像數據和無視差的2D圖像數據。
本發明的第三實施方式中的反射率調整膜的制造方法是在將入射光光電轉換為電信號并且二維地排列的光電轉換元件的受光面上形成的反射率調整膜的制造方法,其包含以下工序:在形成有光電轉換元件的基板上成膜第一膜的第一膜成膜工序;調整第一膜的膜厚以使得在各個光電轉換元件的受光面中被區域分割的第一部分和第二部分成為相互不同的膜厚的第一膜厚調整工序;在第一膜上成膜與第一膜不同的第二膜的第二膜成膜工序;以及調整第二膜的膜厚以使得第一部分和第二部分成為相互不同的膜厚的第一膜厚調整工序。
本發明的第四實施方式中的反射率調整膜的制造方法是在將入射光光電轉換為電信號并且二維地排列的光電轉換元件的受光面上形成的反射率調整膜的制造方法,其包含以下工序:在形成有光電轉換元件的基板上成膜第一膜的第一膜成膜工序;對在各個光電轉換元件的受光面中被區域分割的第一部分和第二部分中的第一部分實施掩膜的第一掩膜工序;對第一膜進行蝕刻的第一蝕刻工序;在第一膜上成膜與第一膜不同的第二膜的第二膜成膜工序;對第一部分和第二部分中的某一方實施掩膜的第二掩膜工序;以及對所述第二膜進行蝕刻的第二蝕刻工序。
此外,上述發明的概要并沒有列舉本發明的全部的必要特征。另外,這些特征組的相互組合也能成為發明。
附圖說明
圖1是說明本實施方式的數碼相機的構成的圖。
圖2是表示本實施方式的攝像元件的截面的概略圖。
圖3是說明本實施方式的反射率調整膜的構成的圖。
圖4是表示將攝像元件的一部分放大后的情形的概略圖。
圖5是說明視差像素與被拍攝體的關系的概念圖。
圖6是說明用于生成視差圖像的處理的概念圖。
圖7是說明拜耳陣列的圖。
圖8是說明第一實施例中的重復圖案110的排列的圖。
圖9是說明第二實施例中的重復圖案110的排列的圖。
圖10是說明作為2D圖像數據的RGB層數據(plain?data)的生成處理的例子的圖。
圖11是說明作為視差圖像數據的兩個G層數據的生成處理的例子的圖。
圖12是說明作為視差圖像數據的兩個B層數據的生成處理的例子的圖。
圖13是說明作為視差圖像數據的兩個R層數據的生成處理的例子的圖。
圖14是表示各層的分辨率的關系的概念圖。
圖15是說明第一部分106的形狀的圖。
圖16是表示第一變形例的攝像元件的截面的概略圖。
圖17是表示第二變形例的攝像元件的截面的概略圖。
圖18是說明與入射光特性相匹配的反射率調整膜的構成的圖。
圖19是說明其他的變化(variation)的反射率調整膜的構成的圖。
圖20是表示第一制造工序的處理流程的圖。
圖21是表示第二制造工序的處理流程的圖。
圖22是表示各膜組成中的反射率相對于入射波長的模擬結果的圖。
具體實施方式
以下,通過發明的實施方式對本發明進行說明,但是以下的實施方式并不限定權利要求書所涉及的發明。另外,在發明的解決方法中,實施方式中所說明的特征的組合并不一定全部是必須的
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





