[發明專利]制造用于背光單元的光學器件的方法以及通過該方法制造的光學器件和光學器件陣列

有效

• 申請號: 201380024644.8
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN104302964B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 安范模;樸勝浩;南基明
• 申請（專利權）人: 普因特工程有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H05K1/18;H05K3/34
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 張春媛,閻娬斌

1.一種制造用于背光單元的光學器件的方法，該方法包括下述步驟：

(a)形成鋁錠，其中通過鍵合多個插入到絕緣層之間的具有預定深度的鋁板，將多個垂直絕緣層間隔地布置在所述鋁錠中；

(b)通過垂直地切割所述鋁錠以包括所述垂直絕緣層，并且切割所述鋁錠使得多個垂直絕緣層間隔地平行布置，從而制備原始芯片基板；

(c)將所述原始基板部分切割至距所述原始基板上表面的預定深度，從而切割部分至少與所述多個垂直絕緣層正交，并且暴露將形成用于焊接的鍍層的區域；

(d)執行鍍敷，以至少在部分切割區域上形成鍍層；

(e)將光學器件芯片安裝在多個芯片基板區域上，所述多個芯片基板區域被劃分以包括所述垂直絕緣層；及

(f)切割各個芯片基板區域，其中完全切割所述部分切割區域，同時沿著與所述垂直絕緣層平行的方向切割所述原始芯片基板，以使得芯片基板具有預定長度。

2.如權利要求1所述的方法，在步驟(b)和步驟(c)之間還包括：(pb1)將阻焊劑沉積在原始基板的上表面或下表面上。

3.如權利要求2所述的方法，其中，在步驟(pb1)中，阻焊劑至少沉積在原始基板的上表面上，

該方法在步驟(pb1)和步驟(d)之前還包括：形成腔，該腔包括距上表面預定深度的槽，并且包括原始基板上的垂直絕緣層，并且

步驟(e)在腔內執行。

4.如權利要求3所述的方法，還在步驟(pb1)和步驟(c)之間包括：(pb2)形成通孔，其中，垂直絕緣層插入在所述通孔之間，

其中，沿著通孔執行步驟(c)中的部分切割。

5.如權利要求2所述的方法，其中，在步驟(pb1)中，焊膏至少沉積在原始基板的上表面上，并且

焊膏在安裝有光學器件芯片的區域被遮掩的狀態下被沉積。

6.一種制造用于背光單元的光學器件的方法，該方法包括下述步驟：

(a)形成鋁錠，其中通過鍵合多個插入到絕緣層之間的具有預定深度的鋁板，將多個垂直絕緣層間隔地布置在所述鋁錠中；

(b)通過垂直地切割所述鋁錠以包括所述垂直絕緣層，并且切割所述鋁錠使得多個垂直絕緣層間隔地平行布置，從而制備原始芯片基板；

(pc1)將阻焊劑沉積在所述原始基板的上表面或下表面上；

(pc2)形成通孔，其中，所述垂直絕緣層分別插入在所述通孔之間；

(d)執行鍍敷，以在所述通孔內形成鍍層；

(e)將光學器件芯片安裝在多個芯片基板區域上，所述多個芯片基板區域被劃分以包括垂直絕緣層；及

(f)沿著側向方向和長度方向切割各個芯片基板區域，以使得所述芯片區域被單獨分離，其中沿著側向方向或縱向方向的切割線通過所述通孔。

7.如權利要求6所述的方法，其中，在步驟(pc1)中，阻焊劑至少沉積在原始基板的上表面上，

該方法在步驟(pc1)和步驟(d)之前還包括：形成腔，該腔包括距上表面預定深度的槽，并且包括原始基板上的垂直絕緣層，并且

步驟(e)在腔內執行。

8.如權利要求6所述的方法，其中，在步驟(pc1)中，焊膏至少沉積在原始基板的上表面上，并且

焊膏在安裝有光學器件芯片的區域被遮掩的狀態下被沉積。

9.根據權利要求1-8中任一項所述的方法制造的用于背光單元的光學器件。

10.一種用于背光單元的光學器件陣列，其通過下述方法制造：將多個權利要求9中的光學器件間隔地焊接在印刷電路板上，從而光學器件設置成面向前表面，同時呈側躺狀態。