[發明專利]用于有機電子器件的非那省化合物

有效

• 申請號: 201380023973.0
• 申請日: 2013-04-29
• 公開（公告）號: CN104302622B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: F·德茲;T·魏茨;C·焦;野口博義;A·斯維蒙;M·周;D·艾歐里;A·K·米什拉
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C07D209/86
• 分類號: C07D209/86;C07D333/52;C07D333/72;C07D307/78;C07D307/87;H01B1/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王丹丹;劉金輝

本發明涉及非那省(phenacene)化合物及其用途。

有機半導體材料可用于電子器件如有機光電(OPV)電池、有機場效應晶體管(OFET)和有機發光二極管(OLED)中。

理想的是有機半導體材料適合液體加工技術如旋涂、溶液澆注或印刷。液體加工技術從加工性觀點看是方便的，并且也可應用于塑料基質。因此，適合液體加工技術的有機半導體材料容許生產低成本、輕重量且還任選撓性的電子器件，這是這些有機半導體材料與無機半導體材料相比的明顯優點。

此外，理想的是有機半導體材料是穩定的，特別是對氧化而言穩定。

當用于有機場效應晶體管(OFET)中時，有機半導體材料應顯示出高電荷載流子遷移率和高開/關比。

有機半導體材料在電子器件中，特別是在有機場效應晶體管(OFET)中的使用是本領域中已知的。

Okamoto，K.；Kawasaki，N.；Kaji，Y.；Kubozono，Y.；Fujiwara，A.；Yamaji，M.J.Am.Chem.Soc.2008，130，10470-10471和Kawasaki，N.；Kubozono，Y.；Okamoto，H.Fujiwara，A.；Yamaji，M.Appl.Phys.Lett.2009，94，043310描述了用于真空沉積OFET的二萘品苯：

其中電荷載流子遷移率達到3cm²V^-1s^-1。

JP2009/063846公開了作為溶液基OFET且具有至多2cm²V^-1s^-1的電荷載流子遷移率的烷基化二萘品苯。

S.Shinamura等人，K.J.Am.Chem.Soc.2011，133，5024-5035公開了用于真空沉積OFET的下式線性-和有角型萘并二噻吩：

其中R為H、n-C₈H₁₇或苯基，其中電荷載流子遷移率達到1.5cm²/V?s。

J.Gao等人，Adv.Mater.2007，19，3008-3011公開了用于FET且具有0.5cm²V^-1s^-1以上的電荷載流子遷移率和大于10⁶的開/關比的二苯并噻吩并二噻吩。

K.Xiao等人，J.Am.Chem.Soc.2005，127，13281-13286公開了用于真空沉積OFET且具有0.045cm²V^-1s^-1的電荷載流子遷移率和10³的開/關比的并五噻吩。

J.Wang等人，Chem.Mater.2009，21，2595-2597描述了用于真空沉積OFET且具有至多0.4cm²/V?s的電荷載流子遷移率的以下小分子：

因此，如果給定在可通過高吞吐量卷到卷生產而生產的便宜且大面積有機電子器件中的潛在應用，本領域想要新的有機p型半導體化合物，尤其是具有理想性能如空氣穩定性、高電荷輸送效率和在常用有機溶劑中的良好溶解度的那些。

鑒于上文，本發明的目的是提供可解決技術發展水平的各種缺陷和短處，包括上述那些的可用作有機半導體的化合物和相關材料、組合物、復合物和/或器件。

該目的通過下式的非那省化合物解決：

其中：

基團a、b和c中的一個為X，且其它兩個基團分別為C-R¹和C-R²，

基團d、e和f中的一個為X，且其它兩個基團分別為C-R⁵和C-R⁶，

其中X相互獨立地選自NH、O、S和Se，優選選自O、S和Se，更優選選自O和S，特別優選為S，