[發明專利]用于有機電子器件的非那省化合物

有效

• 申請號: 201380023973.0
• 申請日: 2013-04-29
• 公開（公告）號: CN104302622B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: F·德茲;T·魏茨;C·焦;野口博義;A·斯維蒙;M·周;D·艾歐里;A·K·米什拉
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C07D209/86
• 分類號: C07D209/86;C07D333/52;C07D333/72;C07D307/78;C07D307/87;H01B1/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王丹丹;劉金輝

1.式I的非那省(phenacene)化合物：

其中：

基團a、b和c中的一個為X，且其它兩個基團分別為C-R¹和C-R²，

基團d、e和f中的一個為X，且其它兩個基團分別為C-R⁵和C-R⁶，

其中X相互獨立地選自NH、O、S和Se，

R¹-R¹⁰相互獨立地為H、鹵素、-CN、-NO₂或者線性或支化、飽和或不飽和C₁-C₄₀烴殘基，其可被鹵素(F、Cl、Br、I)、-OR^a、-NR^a₂、-CN和/或-NO₂取代1-5次，且其中一個或多個CH₂-基團可被-O-、-S-、-NR^b-、-OC(O)-或-C(O)-取代，且其中R^a和R^b相互獨立地為H、C₁-C₃₀烷基、C₂-C₃₀烯基、C₂-C₃₀炔基、C₁-C₃₀鹵代烷基、C₂-C₃₀鹵代烯基、C₂-C₃₀鹵代炔基或C₂-C₃₀酰基。

2.根據權利要求1的非那省化合物，其具有式Ia-If：

其中：

X和R¹-R¹⁰如權利要求1中所定義。

3.根據權利要求1或2的非那省化合物，其中X選自O、S和Se。

4.根據權利要求1-3中任一項的非那省化合物，其中X為S。

5.根據權利要求1-4中任一項的非那省化合物，其中R⁷-R¹⁰為氫。

6.根據權利要求1-5中任一項的非那省化合物，其中R³和R⁴為氫。

7.根據權利要求1-6中任一項的非那省化合物，其中R¹、R²、R⁵和R⁶各自相互獨立地為氫或C_1-20烷基。

8.根據權利要求2的非那省化合物，其具有式Ia，其中X為S，R¹和R⁵為C_1-20烷基，且R²-R⁴和R⁶-R¹⁰為氫。

9.包含一種或多種根據權利要求1-8中任一項的化合物的薄膜半導體。

10.包含根據權利要求9的薄膜半導體的場效應晶體管器件。

11.包含根據權利要求9的薄膜半導體的光伏器件。

12.包含根據權利要求9的薄膜半導體的有機發光二極管器件。

13.包含根據權利要求9的薄膜半導體的單極或互補電路器件。