[發明專利]薄膜晶體管和顯示裝置有效
| 申請號： | 201380023934.0 | 申請日： | 2013-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN104272463B | 公開（公告）日： | 2017-08-15 |
| 發明（設計）人： | 森田晉也;三木綾;田尾博昭;釘宮敏洋 | 申請（專利權）人： | 株式會社神戶制鋼所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人： | 張玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，在基板上至少具有：柵電極；柵極絕緣膜；氧化物半導體層；源-漏電極；以及保護所述柵極絕緣膜、所述氧化物半導體層和所述源-漏電極的保護膜，其特征在于，
所述氧化物半導體層是具有由In、Zn、Sn和O構成的第二氧化物半導體層、以及由In、Ga、Zn和O構成的第一氧化物半導體層的層疊體，
所述第二氧化物半導體層形成于所述柵極絕緣膜之上，并且
所述第一氧化物半導體層形成于所述第二氧化物半導體層與所述保護膜之間，
并且，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層為非晶相，
當設所述第二氧化物半導體層包含的金屬元素的原子百分比含量分別為[In]、[Zn]、[Sn]時，所述第二氧化物半導體層的薄膜組成，
(i)在[In]/([In]+[Sn])≤0.50時，滿足下式(1)，
[In]/([In]+[Zn]+[Sn])
≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}－0.5 …(1)
(ii)在[In]/([In]+[Sn])＞0.50時，滿足下式(2)，
[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3 …(2)。
2.一種薄膜晶體管，在基板上至少具有：柵電極；柵極絕緣膜；氧化物半導體層；以及保護所述氧化物半導體層的表面的蝕刻阻擋層，其特征在于，
所述氧化物半導體層是具有由In、Zn、Sn和O構成的第二氧化物半導體層、以及由In、Ga、Zn和O構成的第一氧化物半導體層的層疊體，
所述第二氧化物半導體層形成于所述柵極絕緣膜之上，并且，
所述第一氧化物半導體層形成于所述第二氧化物半導體層與所述蝕刻阻擋層之間，
并且，所述第一氧化物半導體層和所述第二氧化物半導體層為非晶相，
當設所述第二氧化物半導體層包含的金屬元素的原子百分比含量分別為[In]、[Zn]、[Sn]時，所述第二氧化物半導體層的薄膜組成，
(i)在[In]/([In]+[Sn])≤0.50時，滿足下式(1)，
[In]/([In]+[Zn]+[Sn])
≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}－0.5 …(1)
(ii)在[In]/([In]+[Sn])＞0.50時，滿足下式(2)，
[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3 …(2)。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中，
所述第二氧化物半導體層的薄膜組成，還滿足下式(3)，
[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.830 …(3)。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，
在所述第二氧化物半導體層與所述柵極絕緣膜之間，形成有含Ga的第三氧化物半導體層。
5.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，
在所述第二氧化物半導體層與所述柵極絕緣膜之間，形成有含Ga的第三氧化物半導體層。
6.根據權利要求4或5所述的薄膜晶體管，其中，
所述第三氧化物半導體層由In、Ga、Zn和O構成。
7.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中，
所述第二氧化物半導體層的厚度為3nm以上。
8.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其中，
所述氧化物半導體層的薄膜密度為6.0g/cm3以上。
9.一種顯示裝置，其具備權利要求1或2所述的薄膜晶體管。
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