[發(fā)明專利]使用系統(tǒng)性缺陷過濾器的光罩缺陷檢驗有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380023868.7 | 申請日: | 2013-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN104272185B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李冰;偉敏·馬;約瑟夫·布萊謝 | 申請(專利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/84 | 分類號: | G03F1/84 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 江葳 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 系統(tǒng)性 缺陷 過濾器 檢驗 | ||
本發(fā)明揭示用于檢驗光學(xué)光刻光罩的方法及設(shè)備。從光罩檢驗系統(tǒng)接收缺陷數(shù)據(jù)流,其中所述缺陷數(shù)據(jù)識別針對所述光罩的多個不同部分所檢測的多個缺陷。在檢視所述缺陷數(shù)據(jù)以確定所述光罩是否通過檢驗之前且在繼續(xù)接收所述缺陷數(shù)據(jù)流時,將所述缺陷中的一些缺陷與其它最近一或多個所接收缺陷自動分組在一起以便形成實質(zhì)上匹配缺陷的群組。在檢視所述缺陷數(shù)據(jù)以確定所述光罩是否通過檢驗之前且在接收到所述光罩的所有所述缺陷數(shù)據(jù)之后,從所述缺陷數(shù)據(jù)自動過濾所述缺陷群組中的具有高于預(yù)定閾值的數(shù)目的一或多個缺陷群組以便形成經(jīng)過濾缺陷數(shù)據(jù)。接著,可將所述經(jīng)過濾缺陷數(shù)據(jù)提供到檢視站以確定所述光罩是否合格。
本申請案主張以下現(xiàn)有申請案的權(quán)益:(i)李冰等人的標(biāo)題為“使用系統(tǒng)性缺陷過濾器的光罩缺陷檢驗(Reticle Defect Inspection with Systematic Defect Filter)”的2012年3月8日提出申請的第61/608,445號美國臨時申請案及(ii)李冰等人的標(biāo)題為“使用系統(tǒng)性缺陷過濾器的光罩缺陷檢驗(Reticle Defect Inspection with SystematicDefect Filter)”的2012年4月9日提出申請的第61/621,725號美國臨時申請案,所述申請案出于所有目的而以全文引用的方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般來說涉及光罩檢驗領(lǐng)域。更特定來說,本發(fā)明涉及一種用以從光罩缺陷檢測來過濾系統(tǒng)性缺陷的方法。
背景技術(shù)
一般來說,半導(dǎo)體制造行業(yè)涉及用于使用以層形式布設(shè)并圖案化到例如硅的襯底上的半導(dǎo)體材料來制作集成電路的高度復(fù)雜技術(shù)。由于大規(guī)模的電路集成及大小日益減小的半導(dǎo)體裝置,因此經(jīng)制作裝置已變得對缺陷越來越靈敏。即,導(dǎo)致裝置中的故障的缺陷正變得越來越小。裝置在裝運到終端用戶或顧客之前為無故障的。
集成電路通常由多個光罩制作而成。光罩的產(chǎn)生及對此類光罩的后續(xù)光學(xué)檢驗已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的標(biāo)準(zhǔn)步驟。首先,電路設(shè)計者向光罩生產(chǎn)系統(tǒng)或光罩寫入器提供描述特定集成電路(IC)設(shè)計的電路圖案數(shù)據(jù)。電路圖案數(shù)據(jù)通常呈經(jīng)制作IC裝置的物理層的代表性布局的形式。所述代表性布局包含IC裝置的每一物理層的代表性層(例如,柵極氧化物、多晶硅、金屬化物等),其中每一代表性層由界定特定IC裝置的層的圖案化的多個多邊形組成。
光罩寫入器使用電路圖案數(shù)據(jù)來寫入(例如,通常使用電子束寫入器或激光掃描儀來曝光光罩圖案)稍后將用于制作特定IC設(shè)計的多個光罩。光罩檢驗系統(tǒng)可接著檢驗光罩以找出可能已在光罩的生產(chǎn)期間出現(xiàn)的缺陷。
光罩或光掩模為至少含有透明區(qū)域及不透明區(qū)域且有時含有半透明區(qū)域及相移區(qū)域(其共同界定例如集成電路的電子裝置中的共面特征的圖案)的光學(xué)元件。光罩在光學(xué)光刻期間用于界定半導(dǎo)體晶片的所規(guī)定區(qū)域以進行蝕刻、離子植入或其它制作過程。
在制作每一光罩或光罩群組之后,通常通過用從受控照明器發(fā)出的光照明每一光罩來檢驗所述光罩。基于反射、透射或以其它方式引導(dǎo)到光傳感器的光的部分來建構(gòu)光罩的一部分的測試圖像。此類檢驗技術(shù)及設(shè)備為此項技術(shù)中眾所周知的,且體現(xiàn)于各種商業(yè)產(chǎn)品中,例如可從加利福尼亞州苗必達市的KLA-Tencor公司購得的那些商業(yè)產(chǎn)品中的許多商業(yè)產(chǎn)品。
在常規(guī)檢驗過程期間,通常將光罩的測試圖像與基線圖像進行比較。通常,基線圖像為從電路圖案數(shù)據(jù)或從光罩本身上的鄰近裸片產(chǎn)生。不論以哪一種方式,均分析測試圖像特征且將其與基線圖像的特征進行比較。接著,將每一差值與預(yù)定閾值進行比較。如果測試圖像與基線圖像相差超出所述預(yù)定閾值,那么界定并報告缺陷。
在兩個圖像之間所檢測的每一差均可能導(dǎo)致可印刷缺陷。相反地,所檢測缺陷中的一些缺陷將對所得集成電路沒有影響。取決于此閾值是設(shè)定得太高還是太低,此技術(shù)可能不能捕獲小的缺陷且還可能捕獲大量“假”缺陷。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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