[發明專利]導電膜用原料、導電膜層積體、電子設備、以及導電膜用原料和導電膜層積體的制造方法

無效

• 申請號: 201380023517.6
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN104508761A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 富田倫央;小林健太
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/58;H01B13/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡燁

1.一種導電膜用原料，它是具有透明基材、和層積在所述透明基材上的由銦錫氧化物構成的非晶質層的導電膜用原料，

其特征在于，所述非晶質層由含有以氧化物換算計5.5～9質量％的錫的銦錫氧化物構成，膜厚為15～25nm，且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□。

2.如權利要求1所述的導電膜用原料，其特征在于，所述非晶質層由含有以氧化物換算計超過6質量％的錫的銦錫氧化物構成。

3.一種導電膜層積體，它是具有透明基材、和層積在所述透明基材上的由銦錫氧化物構成的結晶質層的導電膜層積體，

其特征在于，所述結晶質層由含有以氧化物換算計5.5～9質量％的錫的銦錫氧化物構成，膜厚為15～25nm，且薄膜電阻值為50～150Ω/□。

4.如權利要求3所述的導電膜層積體，其特征在于，所述結晶質層由含有以氧化物換算計超過6質量％的錫的銦錫氧化物構成。

5.一種電子設備，其特征在于，具備權利要求3或4所述的導電膜層積體。

6.一種導電膜用原料的制造方法，其特征在于，具有以下成膜工序：

在透明基材上，使用由含有以氧化物換算計5.5～9質量％錫的銦錫氧化物構成的濺射靶材，利用濺射法，制成膜厚為15～25nm且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□的非晶質層。

7.一種導電膜層積體的制造方法，其特征在于，具有：

在透明基材上，使用由含有以氧化物換算計5.5～9質量％錫的銦錫氧化物構成的濺射靶材，利用濺射法，制成膜厚為15～25nm且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□的非晶質層，得到導電膜用原料的成膜工序；

對所述導電膜用原料進行熱處理，使所述非晶質層結晶化而成為結晶質層的熱處理工序。

8.如權利要求7所述的導電膜層積體的制造方法，其特征在于，具有：

在透明基材上，使用由含有以氧化物換算計5.5～9質量％錫的銦錫氧化物構成的濺射靶材，利用濺射法，制成膜厚為15～25nm且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□的非晶質層，得到導電膜用原料的成膜工序；

通過對所述導電膜用原料的非晶質層進行蝕刻加工來進行圖案形成的工序；和

對形成了圖案的導電膜用原料進行熱處理，使所述非晶質層結晶化而成為結晶質層的熱處理工序。