[發明專利]導電膜用原料、導電膜層積體、電子設備、以及導電膜用原料和導電膜層積體的制造方法

無效

• 申請號: 201380023517.6
• 申請日: 2013-05-14
• 公開（公告）號: CN104508761A
• 公開（公告）日: 2015-04-08
• 發明（設計）人: 富田倫央;小林健太
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/58;H01B13/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 胡燁

技術領域

本發明涉及導電膜用原料、導電膜層積體、電子設備、以及導電膜用原料和導電膜層積體的制造方法。

背景技術

透明導電膜由于具有導電性和光學透明性而被用作透明電極、電磁波遮蔽膜、面狀發熱膜、反射防止膜等，近年來作為觸摸屏用電極受到矚目。觸摸屏中存在電阻膜式、靜電電容耦合式、光學式等多種方式。透明導電膜用于例如通過上下的電極進行接觸來確定觸摸位置的電阻膜式、感知靜電電容的變化的靜電電容耦合方式。用于電阻膜式的透明導電膜由于從工作原理上考慮，透明導電膜之間進行機械性接觸，因此要求高耐久性。此外,用于靜電電容耦合方式或一部分電阻膜式的透明導電膜由于通過蝕刻為特定的圖案來形成多個透明電極，因此要求蝕刻性良好。此外，透明導電膜由于配置在顯示部的前面，因此要求高光透射率。

作為透明導電膜，可例舉銦錫氧化物構成的膜。可以通過使銦錫氧化物結晶化來提高耐久性。但是，有時在制作透明導電膜的銦錫氧化物上通過蝕刻來形成多個透明電極，如果處于結晶化的狀態則難以通過蝕刻來形成多個透明電極。例如，在銦錫氧化物結晶化的情況下，有由于蝕刻速率下降而使得透明電極的形成耗費時間，或者透明電極的形狀不能達到所希望的形狀之虞。

從這樣的觀點來看，理想的是首先對容易蝕刻的非晶質狀態的銦錫氧化物進行成膜，在對該非晶質狀態的銦錫氧化物進行蝕刻而形成了多個透明電極后，通過熱處理使其結晶化。該情況下，對于非晶質狀態的銦錫氧化物，要求能夠通過熱處理容易地結晶化。此外，還要求結晶化后的比電阻低。比電阻低的情況下，即使膜厚較薄也可降低薄膜電阻值。此外，對于透明導電膜所要求的高透射率，可通過減少膜厚來提高透射率。目前，由于易于通過熱處理來結晶化且結晶化后的比電阻也較低，因此使用以氧化物換算計含有3質量％左右的錫的銦錫氧化物(例如參照專利文獻1～3)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2011-65937號公報

專利文獻2：日本專利特開2011-100749號公報

專利文獻3：日本專利特開2004-149884號公報

發明內容

發明所要解決的技術問題

近年，伴隨著觸摸屏裝置等電子設備的大型化，存在操作時的透明導電膜中的傳遞速度的下降。為了抑制傳遞速度的下降，要求透明導電膜的薄膜電阻值減少至目前以上的水平。具體而言，要求透明導電膜的薄膜電阻值減少至150Ω/□以下。

對于上述的以氧化物換算計含有3質量％左右的錫的銦錫氧化物，通過使其膜厚增加，可使結晶化后的薄膜電阻值下降，但為了達到規定的薄膜電阻值，需要將膜厚變得非常厚。從使透射率等光學特性良好的觀點來看，膜厚優選25nm以下，但對于上述的以氧化物換算計含有3質量％左右的錫的銦錫氧化物，為了得到規定的薄膜電阻值需要將膜厚設為超過25nm。

另一方面，作為透明導電膜的構成材料，還已知有以氧化物換算計含有10質量％左右的錫的銦錫氧化物，與上述的以氧化物換算計含有3質量％左右的錫的銦錫氧化物相比，可降低結晶化后的薄膜電阻值。然而，以氧化物換算計含有10質量％左右的錫的銦錫氧化物并不一定易于結晶化，在達到結晶化所必需的膜厚的情況下，透射率等光學特性并不良好。

本發明是為了解決上述課題而完成的發明，其目的是提供一種具有易于通過熱處理而結晶化、結晶化后的薄膜電阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的非晶質層的導電膜用原料。此外，本發明的目的還在于提供一種具有薄膜電阻值低、且膜厚增加也得到了抑制的結晶質層的導電膜層積體，以及具有該導電膜層積體的電子設備。進一步，本發明的目的還在于提供上述的導電膜用原料和導電膜層積體的制造方法。

解決技術問題所采用的技術方案

本發明的導電膜用原料具有透明基材、和層積在上述透明基材上的由銦錫氧化物構成的非晶質層。上述非晶質層由含有以氧化物換算計5.5～9質量％的錫的銦錫氧化物構成，膜厚為15～25nm，且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□。

本發明的導電膜層積體具有透明基材、和層積在上述透明基材上的由銦錫氧化物構成的結晶質層。所述結晶質層由含有以氧化物換算計5.5～9質量％的錫的銦錫氧化物構成，膜厚為15～25nm，且結晶化后的薄膜電阻值為50～150Ω/□。

本發明的電子設備的特征在于，具有上述的本發明的導電膜層積體。