[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201380022798.3
• 申請日: 2013-04-30
• 公開（公告）號: CN104541374A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 馬督兒·博德;曲飛·陳;米斯巴赫·烏爾·阿藏;凱爾·特里爾;陽·高;莎倫·石
• 申請（專利權）人: 維西埃-硅化物公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;趙禮杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

豎直溝道區域；

以第一深度位于所述豎直溝道區域的第一側的柵極；

以第二深度位于所述豎直溝道區域的所述第一側的屏蔽電極；以及

以所述第一深度位于所述豎直溝道區域的第二側的混合柵極，

其中，位于所述豎向溝道區域的所述第二側的所述混合柵極的下方的區域沒有任何電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極、所述屏蔽電極和所述混合柵極包含多晶硅。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極與所述混合柵極電耦合。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極和所述屏蔽電極通過氧化物而物理隔離。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述屏蔽電極和所述混合柵極通過所述豎直溝道區域而物理隔離。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件進一步包括與所述屏蔽電極耦合的源電極。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件包括溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件。

8.一種結構，所述結構包括：

設置于半導體襯底表面以下的第一延長結構，所述第一延長結構包括:

以第一深度位于所述表面以下的柵極結構；

以第二深度位于所述表面以下的屏蔽電極；以及

以所述第一深度形成于所述表面以下的、包括混合柵極結構的第二延長結構，

其中所述第二延長結構沒有另外的電極。

9.根據權利要求8所述的結構，其中所述第一和第二延長結構平行。

10.根據權利要求8所述的結構，其中所述柵極結構和所述混合柵極結構電耦合。

11.根據權利要求8所述的結構，其中所述柵極結構和所述屏蔽電極結構通過氧化物而物理隔離。

12.根據權利要求8所述的結構，其中所述半導體襯底經摻雜以在所述第一和第二延長結構之間形成體區。

13.根據權利要求8所述的結構，其中所述半導體襯底進一步包括源區和漂移區。

14.根據權利要求8所述的結構，所述結構包括溝槽功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件。

15.一種結構，所述結構包括：

以第一深度形成于半導體襯底中的第一多個第一溝槽；以及

以第二深度形成于所述半導體襯底中的第二多個第二溝槽，

其中所述第一溝槽平行于所述第二溝槽，且

其中進一步所述第一溝槽與所述第二溝槽相間。

16.根據權利要求15所述的結構，其中所述第一溝槽用第一材料填充，所述第一材料包含第一多晶硅以及位于所述第一多晶硅上方的第二多晶硅。

17.根據權利要求16所述的結構，其中所述第二溝槽用包含所述第二多晶硅的第二材料填充。

18.根據權利要求16所述的結構，其中所述第一材料包含將所述第一多晶硅與第二多晶硅隔離的氧化物。

19.根據權利要求15所述的結構，其中所述半導體襯底經摻雜以在所述第一和第二溝槽之間形成第三多個體區。

20.根據權利要求15所述的結構，所述結構包括溝槽功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件。