[發明專利]復合氧化物薄膜制造用組合物和使用該組合物的薄膜的制造方法、以及復合氧化物薄膜有效

申請號：	201380021829.3	申請日：	2013-04-22
公開（公告）號：	CN104254495B	公開（公告）日：	2017-03-29
發明（設計）人：	竹元裕仁;羽賀健一;稻葉孝一郎;豐田浩司;德留功一;吉野賢二;小島稔	申請（專利權）人：	東曹精細化工株式會社
主分類號：	C01G19/00	分類號：	C01G19/00;C01G25/00
代理公司：	中國專利代理(香港)有限公司72001	代理人：	高旭軼,劉力
地址：	日本山口***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	復合氧化物薄膜制造組合使用方法以及
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【說明書】：

關聯申請的相互參照

本申請主張2012年4月25日申請的日本特愿2012－100168號和2012年4月25日申請的日本特愿2012－100174號的優先權，它們的全部記載特別作為公開內容援引至本申請。

技術領域

本發明涉及能夠調制復合氧化物薄膜的復合氧化物薄膜制造用組合物，所述復合氧化物薄膜相對于可見光具有80%以上的平均透射率，并且能夠適用于在液晶顯示裝置、薄膜電致發光顯示裝置等的開關元件（薄膜晶體管）等中使用的ZTO、ATO等氧化物半導體膜等。此外，本發明還涉及能夠適用于所述氧化物半導體膜等的復合氧化物薄膜的制造方法，以及使用該制造方法制作的復合氧化物薄膜。

本發明的復合氧化物薄膜制造用組合物是以有機鋅化合物和4A族元素化合物、3B族元素化合物以及4B族元素化合物中含至少兩種以上元素的化合物為原料調制的，并且沒有著火性、操作容易，進而在用作旋涂涂布原料、浸涂涂布原料或噴霧熱分解涂布原料時，可以提供相對于可見光具有80%以上的平均透射率的復合氧化物薄膜。進一步，根據本發明的復合氧化物薄膜的制造方法，以有機鋅化合物和4A族元素化合物、3B族元素化合物以及4B族元素化合物中含至少兩種以上元素的化合物為原料進行調制，進而在用作旋涂涂布原料、浸涂涂布原料或噴霧熱分解涂布原料時，可以提供相對于可見光具有80%以上的平均透射率的復合氧化物薄膜。

背景技術

作為包含復合氧化物之一的金屬復合氧化物的氧化物半導體膜，例如已知有包含In、Ga和Zn的氧化物（IGZO）的氧化物半導體膜，其特征在于，與無定形Si膜相比，電子的遷移率大，并且近年來受到關注。另外，這種氧化物半導體膜，由于與無定形Si膜相比電子遷移率大、可見光透過性高，因此可以期待在液晶顯示裝置、薄膜電致發光顯示裝置等的開關元件（薄膜晶體管）等中的應用而受到關注。

另一方面，對Zn和Sn的氧化物（ZTO）、Al和Sn的氧化物（ATO）、以及在ZTO中含有Ga、In、Al等3B族元素、Zr、Hf等4A族元素的復合氧化物、在ATO中含有Zn、Ga、In等3B族元素、Zr、Hf等4A族元素的復合氧化物的薄膜物性感興趣，從而與IGZO同樣地，在電子器件等中的研究不斷發展。

作為該無定形氧化物膜的成膜方法，通常已知PVD法、濺射法等在真空中對IGZO的燒結體進行處理而形成薄膜的方法。已知無定形氧化物膜的形成使用IGZO濺射靶（專利文獻1、非專利文獻1、2）。

另一方面，在氧化物薄膜的形成中，已知有利用涂布法的成膜。該涂布法由于裝置簡便、膜形成速度快，因此生產率高、制備成本低，無需使用真空容器，沒有真空容器所造成的限制，因此具有可以制成大的氧化物薄膜等優點。

作為通常的用于形成氧化物薄膜的涂布法，可以列舉旋涂法（專利文獻2）、浸涂法（非專利文獻3）、噴霧熱分解法（非專利文獻4、5）等。

作為該涂布法用氧化物薄膜的形成材料的例子，已知有以透明導電膜等用途作為目的的氧化鋅薄膜形成用材料，具體而言，使用乙酸鋅、在醇系的有機溶劑中反應的同時溶解的二乙基鋅、二乙基鋅部分水解而成的組合物等。

另一方面，在通過涂布Zn和Sn的氧化物（ZTO）、Al和Sn的氧化物（ATO）而進行的成膜中，研究了Zn、Sn的氯化物、乙酸鹽、乙酰丙酮化合物、醇鹽等（非專利文獻6）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1?:?日本特開2007－73312號公報

專利文獻2?:?日本特開平7－182939號公報

非專利文獻

非專利文獻1?:?日本學術振興會透明氧化物光電子材料第166委員會編、透明導電膜的技術　修訂2版（2006）、p165～173

非專利文獻2?:?H.?Q.?Chiang，et?al.?Appl.?Phys.?Lett.，86（13503），2005