[發(fā)明專利]用于處理前級真空管線中廢氣的設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380021125.6
• 申請日: 2013-04-15
• 公開（公告）號: CN104247575B
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邁克爾·S·考克斯;科林·約翰·迪金森
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/3065;H01L21/205
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于處理基板處理系統(tǒng)的前級真空管線中的廢氣的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

介電管，所述介電管經(jīng)配置以耦接至所述基板處理系統(tǒng)的所述前級真空管線，以允許廢氣從所述前級真空管線流動通過所述介電管；

射頻線圈，所述射頻線圈圍繞所述介電管的外表面卷繞，所述射頻線圈具有第一端，以提供射頻輸入至所述射頻線圈，所述射頻線圈的第一端靠近所述介電管的第一端，且所述射頻線圈的第二端靠近所述介電管的第二端；和

分接頭，所述分接頭耦接至所述射頻線圈，以提供射頻回程路徑，所述分接頭位于所述介電管的第一端與所述介電管的中央部分之間。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進一步包括：

射頻功率源，所述射頻功率源耦接至所述射頻線圈的第一端，以提供射頻功率至所述射頻線圈。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，進一步包括：

第一電容器，所述第一電容器耦接至所述射頻功率源并位于所述射頻功率源與所述射頻線圈的第一端之間。

4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，進一步包括：

第二電容器，所述第二電容器耦接至所述射頻功率源并位于所述射頻功率源與所述射頻回程路徑之間。

5.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的設(shè)備，其中所述介電管由氧化鋁制成。

6.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的設(shè)備，其中所述分接頭于所述射頻線圈的第一端五匝內(nèi)耦接至所述射頻線圈。

7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中任一項所述的設(shè)備，其中所述介電管包括：

第一向外延伸凸緣，所述第一向外延伸凸緣位于所述介電管的第一端上；和

第二向外延伸凸緣，所述第二向外延伸凸緣位于所述介電管的第二端上，其中所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個都將所述介電管耦接至所述前級真空管線。

8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個都包括多個溝道，以允許傳熱流體流動通過所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個。

9.一種基板處理系統(tǒng)，包括：

處理腔室；

前級真空管線，所述前級真空管線耦接至所述處理腔室，以允許廢氣從所述處理腔室流出；

真空泵，所述真空泵耦接至所述前級真空管線，以將來自所述處理腔室的廢氣通過所述前級真空管線排出；和

介電管和分接頭，所述介電管耦接至所述前級真空管線并與所述前級真空管線串聯(lián)，并且所述介電管位于所述真空泵與所述處理腔室之間，以允許廢氣從所述前級真空管線流動通過所述介電管，所述介電管具有射頻線圈，所述射頻線圈圍繞所述介電管的外表面卷繞，所述射頻線圈具有第一端以提供射頻輸入至所述射頻線圈，所述第一端靠近所述介電管的第一端，且第二端靠近所述介電管的第二端，所述分接頭耦接至所述射頻線圈以提供射頻回程路徑，所述分接頭位于所述介電管的第一端與所述介電管的中部之間。

10.如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，進一步包括：

射頻功率源，所述射頻功率源耦接至所述射頻線圈的第一端，以提供射頻功率至所述射頻線圈。

11.如權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述介電管包括：

第一向外延伸凸緣，所述第一向外延伸凸緣位于所述介電管的第一端上；和

第二向外延伸凸緣，所述第二向外延伸凸緣位于所述介電管的第二端上，其中所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個都將所述介電管耦接至所述前級真空管線。

12.如權(quán)利要求11所述的基板處理系統(tǒng)，其中所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個都包括多個溝道，以允許傳熱流體流動通過所述第一向外延伸凸緣和所述第二向外延伸凸緣的每一個。