[發明專利]具有滴水邊緣構造的襯底載體

在審

• 申請號: 201380020056.7
• 申請日: 2013-04-16
• 公開（公告）號: CN104350590A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發明（設計）人: 路茨·雷伯斯托克
• 申請（專利權）人: 布魯克CCS有限公司;路茨·雷伯斯托克
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/673
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王鵬鑫

技術領域

本申請要求序列號61/625083、2012年4月17日提交的、名為“Substrate?carrier?having?drip?edge?configurations”的美國臨時專利申請的權益，該美國臨時專利申請通過引用被并入本文。

背景技術

在半導體處理中，在半導體設施中處理大量半導體襯底。例如，在圓形的單晶硅襯底上制造集成電路設備。太陽能電池通常在正方形或矩形的襯底(單晶硅或多晶硅)上制造。襯底被存儲在載體中，該載體被設計為在不相互接觸的情況下獨立地保存每個襯底。

在單個襯底處理期間，將各個襯底從載體帶到處理室中，在處理室中，每個襯底被單獨處理。在批量處理(例如濕法蝕刻工藝)期間，將多個襯底轉移到處理載體，該處理載體支撐襯底，而在襯底之間具有適當的分離，以使在載體內的所有襯底能均勻處理。然后將載體浸入填充有化學液體的槽中，該化學液體能夠同時蝕刻所有襯底。

圖1A-1C示出示例性現有技術的用于濕法處理的處理載體。在圖1A中，示出支撐襯底110的載體100。載體100包括兩個端板120，以及多個桿130。桿被間隔開以便允許襯底被定位在桿之間。載體110可包括用于支撐襯底的側面的側桿，以及用于支撐襯底底部的底桿。可例如包括可選的頂桿，以防止在移動期間襯底的掉落。桿130可包括齒135，齒135可分離襯底。

圖1B示出具有齒135的桿130的一部分的細節。齒包括圓柱形狀，被布置在水平方向。齒的分離大到足以容納襯底110。在液體處理期間，液滴140可被粘附到載體表面，例如在齒135A(圖1C)的表面上。當濕法處理完成時，從液體槽移除載體。液滴140可沿著齒的表面遷移，并且可能滴到襯底110上，形成污染斑145。

發明內容

在一些實施例中，提供系統和方法來減小由載體支撐的襯底中的液體污染。例如，在濕法工藝之后，載體可具有在其表面上積聚的液體。載體可被構造成減小或消除液體在襯底上的滴落，該滴落可能污染襯底表面。

在一些實施例中，載體可具有引導液體遠離襯底的排水區域，從而任何液滴形成和釋放將在襯底區域之外并且不在襯底上。排水區域可包括從襯底向著地面傾斜的線和面。排水區域可避免襯底區域附近或襯底區域中的可捕捉構造，例如在兩個襯底之間限定的空間中的點形狀、在兩個襯底之間限定的空間中的水平線或面、或在兩個襯底之間限定的空間中的朝向下的線或面。

在一些實施例中，載體可具有將液體引導到載體的一端的排水區域，該液體然后可被引流到地面而非自由落到地面。液滴的引流可避免液體的飛濺，因此可減小或消除可能的襯底污染。

附圖說明

圖2A-2E示出根據一些實施例的可積聚和滴落液滴的示例性表面構造。

圖3A-3C示出根據一些實施例的襯底載體的齒的示例性傾斜構造。

圖4A-4B示出根據一些實施例的具有傾斜齒構造的示例性載體。

圖5A-5D示出根據一些實施例的具有傾斜齒構造的另一示例性載體。

圖6A-6C示出根據一些實施例的示例性桿構造。

圖7A-7D示出根據一些實施例的桿的示例性橫截面。

圖8A-8B示出根據本發明的一些實施例的示例性載體。

圖9A-9C示出根據一些實施例的示例性載體構造。

具體實施方式

在一些實施例中，本發明公開了載體構造以減小或消除液滴污染，例如在濕法處理之后發生的液滴污染。該載體構造包括引導遠離襯底區域的滴水邊緣，防止液滴落到襯底表面上。

在一些實施例中，本發明認識到尤其在襯底表面的區域內的向下傾斜的(例如垂直)表面或路徑可能積聚液滴，該液滴然后可能落在襯底上而污染襯底。此外，水平表面可能積聚液滴，因此可能使液滴落在襯底上。

圖2A-2E示出根據一些實施例的可能積聚液滴并且滴落液滴的示例性表面構造。在圖2A中，示出了垂直表面210，其中液滴240可沿垂直表面210(例如在重力下)向下流淌以積聚在表面210的底部。液滴240可沿著該路線收集另外的液體，并且可變得大到足以從垂直表面210滴落。如果液滴240在襯底表面附近形成，則液滴可能落到襯底上，生成污染斑。

在圖2B中，示出彎曲表面212，其包括用于液滴行進的多個垂直路徑222。液滴242可沿垂直路徑222(例如在重力下)向下流淌以積聚在表面212的底部。液滴242可沿著該路線收集另外的液體，并且可變得大到足以從垂直表面212滴落。