[發(fā)明專利]用于體內(nèi)測定眼水分的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380019648.7
• 申請日: 2013-02-12
• 公開（公告）號: CN104244805B
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Z·納楚姆
• 申請（專利權(quán)）人: ZA阿爾戈公司
• 主分類號: A61B3/10
• 分類號: A61B3/10
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所11313
• 代理人: 孟銳

1.一種用于評估與受試者的眼瞼內(nèi)表面上的軟組織的水分相關(guān)的水分參數(shù)的裝置，所述裝置包括：

(a)交流電流源，其適于連接至電源并且產(chǎn)生交流電流；

(b)具有至少第一電極和第二電極的電極排列，所述第一電極與所述第二電極通過絕緣區(qū)域電分離，所述排列具有以間隔開的方式固定所述電極的至少半剛性區(qū)域，

所述排列適于接觸所述眼瞼內(nèi)表面上的所述軟組織，所述電極和所述絕緣區(qū)域由生物相容性材料組成；以及

(c)處理器，其與所述電極排列相關(guān)聯(lián)，

所述第一電極和所述第二電極被電連接至所述交流電流源，

其中當(dāng)所述電極排列配備有所述交流電流并且抵靠所述軟組織設(shè)置時，所述軟組織在所述電極之間電橋接以形成電路，使得由通過所述軟組織從所述第一電極傳遞至所述第二電極的所述交流電流產(chǎn)生電信號，

所述處理器適于通過所述電路接收源自所述電信號的基于體內(nèi)的電信息，并且基于所述體內(nèi)電信息產(chǎn)生與所述水分參數(shù)相關(guān)或源于所述水分參數(shù)的輸出，

所述處理器被設(shè)計(jì)并配置成至少部分地基于所述體內(nèi)電信息并且基于所述體內(nèi)電信息與所述眼瞼內(nèi)表面上的軟組織的水分之間的經(jīng)驗(yàn)相關(guān)性來計(jì)算所述軟組織中的所述水分參數(shù)，

所述經(jīng)驗(yàn)相關(guān)性包括源于所述電信號或源于所述體內(nèi)電信息的電阻抗與所述眼瞼內(nèi)表面上的軟組織的水分之間的相反關(guān)系，使得所述眼瞼內(nèi)表面上的軟組織的水分的增加水平與所述電阻抗的減少相關(guān)。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，所述水分參數(shù)是或包括眼水分參數(shù)，所述眼水分參數(shù)選自由以下各項(xiàng)組成的參數(shù)組：所計(jì)算的體外克分子滲透壓濃度、所計(jì)算的席爾梅氏試驗(yàn)吸收長度、所計(jì)算的瞼板分級得分、眼表疾病指數(shù)(OSDI)、角膜和結(jié)膜染色結(jié)果以及眼干燥度嚴(yán)重程度值。

3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括電連接至所述交流電流源的適配器，所述適配器具有適于物理地固持所述排列的一部分并且將所述排列電連接至所述電流源和所述處理器的接合機(jī)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，所述接合機(jī)構(gòu)適于可釋放和可逆地接合所述排列。

5.如權(quán)利要求1所述的裝置，所述排列包括電極棒或由電極棒組成。

6.如權(quán)利要求4所述的裝置，所述排列包括細(xì)長電極棒或由所述細(xì)長電極棒組成，所述細(xì)長電極棒具有適于由所述接合機(jī)構(gòu)接收的第一端和具有所述電極的第二端。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，所述第二端具有6.5mm或6.3mm的最大寬度。

8.如權(quán)利要求7所述的裝置，所述第二端具有2mm的最小寬度。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述棒的所述第二端與所述電極的遠(yuǎn)離所述第二端的一端之間的最大距離為2.5mm、2.2mm、2mm、1.9mm或1.8mm。

10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其進(jìn)一步包括模數(shù)轉(zhuǎn)換單元，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換單元電連接至所述電路并且適于將所述電信號從模擬形式轉(zhuǎn)換成數(shù)字形式。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括電設(shè)置在所述電極排列與所述處理器之間的電容器，所述電容器具有在所述電信號高于預(yù)定義閾值時將輸出信號傳遞至所述處理器的電容。

12.如權(quán)利要求3和4以及6至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述排列的一端具有與所述接合機(jī)構(gòu)的附接幾何形狀互補(bǔ)的附接幾何形狀。

13.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述電極設(shè)置在至少半剛性的基板上。

14.如權(quán)利要求13所述的裝置，包括所述基板的所述電極排列具有小于1.5mm的厚度。

15.如權(quán)利要求14所述的裝置，包括所述基板的所述電極排列具有具有小于1.2mm的厚度。

16.如權(quán)利要求15所述的裝置，包括所述基板的所述電極排列具有具有小于1.0mm的厚度。

17.如權(quán)利要求16所述的裝置，包括所述基板的所述電極排列具有具有小于0.8mm的厚度。

18.如權(quán)利要求17所述的裝置，包括所述基板的所述電極排列具有具有小于0.6mm的厚度。