[發明專利]重復經顱磁刺激裝置

有效

• 申請號: 201380018985.4
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN104519953B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 逸·金;查爾斯·肯尼薩維奇;羅伯特·D·希爾維茲;馬克·錢
• 申請（專利權）人: 科西瓦納控股有限公司
• 主分類號: A61N2/02
• 分類號: A61N2/02;A61B5/0476
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司33201
• 代理人: 王兵,俞慧

交叉引用相關申請

根據美國法典§119(e)第35條，本申請要求申請號為61/621,413、申請日為2012年4月6日的美國臨時申請的優先權，其中公開的內容通過全部引用在此并入。

技術領域

本發明涉及新型的重復經顱磁刺激(rTMS)裝置，用所述裝置治療能夠刺激患者大腦中的兩個或多個區域。本發明還涉及石墨烯相控陣磁鐵。

背景技術

經顱磁刺激(TMS)是一種用磁場刺激大腦中的神經細胞以改善抑郁及其他神經精神癥狀的過程。通常，TMS線圈是圓形或數字8的形狀，如此設計是為了在一個單一的點達到最大的強度。用標準TMS治療抑郁癥時，是將一個大電磁線圈貼著或靠近前額附近的頭皮。TMS中使用的電磁鐵產生電流和磁場來刺激你的大腦區域中參與情緒控制和抑郁的神經細胞。

TMS線圈的設計可以根據，例如用于構造線圈鐵芯的材料類型、線圈配置的幾何形狀以及線圈產生的脈沖特性，進行改變。線圈一般是由一種鐵磁活性材料組成的并且一般被稱為“實心”設計。存在幾種不同類型的線圈，其中每一種線圈產生不同的磁場模式，各種不同線圈包括圓形線圈、8字形線圈、雙錐形線圈和四葉形線圈。TMS線圈形狀設計的多樣化使得大腦能夠被線圈產生的磁場以多種方式穿透。TMS裝置一般設置成在同一時間治療大腦的一個區域。在大腦的多個區域需要治療的情況下，則需要對大腦不同區域進行序貫治療。

本發明提供了新型的rTMS裝置，當rTMS需要產生同步的TMS脈沖以影響大腦的多個區域時，本發明所述rTMS裝置能夠刺激用這種裝置治療的患者大腦中的兩個或多個區域。

發明內容

簡單地說，根據本發明，一種用于治療神經精神病癥或改善生理功能的重復經顱磁刺激(rTMS)裝置，其中所述裝置包括一個符合患者頭部或患者頭部一部分的形狀的外殼和一個提供磁場的線圈。所述線圈配置產生的磁場能夠向戴著所述rTMS裝置的患者大腦的兩個或多個區域傳遞磁刺激。所述線圈配置包括2個或多個線圈或者也可以包括一個適于向患者大腦的兩個或多個區域提供磁刺激的單一線圈。所述線圈配置的幾何形狀可以是相控陣的磁場發射元件，可以實現復雜的幾何形狀和發射場。

此外，本發明所述的rTMS裝置可以是一種可被患者佩戴的帽子，并且具有多個組成陣列的石墨烯磁發射體。所述帽子可由任何面料制成，如布料的網眼織物。合成的聚合物網狀材料也可以使用。所述發射體附著在所述帽子上并排列成發射體陣列跨越患者的整個頭部。所述帽子戴于患者頭部，通過控制每個發射體的編程軟件，帽子上附著的發射體可產生所需的磁場。所述陣列中的元件由開/關每個發射體的軟件驅動，以優化形成相控陣的磁波瓣的形狀和位置。所述帽子可以附加裝有非接觸式腦電圖(EEG)傳感器，由此在提供rTMS的同時，還可以監測患者的腦電圖。

本發明所述的rTMS裝置可以向大腦的前部和后部區域、大腦的運動皮層和額葉皮層區域、或大腦額葉區域的兩側傳遞磁刺激。優選地，所述線圈配置需同步以促進大腦中多個位置之間的一致和同步行為。

本發明rTMS裝置可用于增強或改善生理功能，以及用于治療神經精神障礙或病癥。生理功能包括專注力，睡眠，警覺性，記憶力，血壓，抗壓力，性欲，語言能力，運動功能，活動能力，認知功能，智力，身高(兒童)和體重。神經精神病癥或障礙包括自閉癥譜系障礙(ASD)，阿爾茨海默氏癥，多動癥，精神分裂癥，焦慮癥，慢性疼痛，抑郁癥，昏迷，帕金森氏癥，濫用藥品，躁郁癥，睡眠障礙，進食障礙，耳鳴，腦外傷，創傷后應激綜合癥，和纖維肌痛。

實施本發明特別的有益效果在于，提供了一種能夠同時治療2個或多個大腦區域的裝置，這種rTMS裝置可用于治療大腦不同區域之間一致性差的疾病，比如阿爾茨海默氏病、言語和語言障礙、精神分裂癥和抑郁癥。

附圖說明

圖1是db石墨烯發射體的示意圖。

圖2是yy石墨烯發射體的示意圖。

圖3是非接觸式EEG傳感器。

圖4是患者佩戴著包含兩種類型的石墨烯發射體和非接觸式EEG傳感器的rTMS帽的俯視圖。

圖5是患者佩戴著包含兩種類型的石墨烯發射體的rTMS帽的俯視圖。

圖6是患者佩戴著包含兩種類型的石墨烯發射體的rTMS帽的俯視圖。

圖7是在大腦多個區域提供獨立磁場源的多回路線圈。所述線圈連接在一起以便提供一組跨越大腦的同步磁場。

圖8是相控陣配置。在這種配置中，磁場脈沖的相位可以改變，以便增加或減少相互間的干擾，從而產生特定的磁場模式。