[發明專利]重復經顱磁刺激裝置

有效

• 申請號: 201380018985.4
• 申請日: 2013-04-08
• 公開（公告）號: CN104519953B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 逸·金;查爾斯·肯尼薩維奇;羅伯特·D·希爾維茲;馬克·錢
• 申請（專利權）人: 科西瓦納控股有限公司
• 主分類號: A61N2/02
• 分類號: A61N2/02;A61B5/0476
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司33201
• 代理人: 王兵,俞慧

1.一種用于治療神經精神病癥或改善生理功能的重復經顱磁刺激(rTMS)裝置，包括：

a.一個符合患者頭部形狀的外殼；和

b.一個產生磁場的線圈配置，能夠傳遞磁刺激到戴著所述rTMS裝置的患者大腦的兩個或多個區域。

2.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述線圈配置包括2個或多個線圈。

3.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述線圈配置包括一個適于向患者大腦的兩個或多個區域傳遞磁刺激的單一線圈。

4.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述線圈配置的幾何形狀是相控陣的磁場發射元件，可以實現復雜的幾何形狀和發射場。

5.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述裝置傳遞磁刺激到大腦的前部和后部區域。

6.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述裝置傳遞磁刺激到大腦的運動皮層和前額皮層區域。

7.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于所述裝置傳遞磁刺激到大腦額葉區域的兩側。

8.如權利要求1所述的rTMS裝置，其特征在于由線圈配置產生的脈沖需同步以促進大腦多個位點之間的一致性和同步行為。

9.一種使用rTMS裝置優化患者的重復經顱磁刺激(rTMS)的方法，包括：

a.記錄患者整個頭部EEG；

b.在一個或多個頻率繪制EEG能量以識別大腦活動不一致或不同步的區域；和

c.施行rTMS到不一致和不同步的大腦區域。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于所述rTMS裝置包括：

a.2個或多個線圈，

b.一個單一線圈，配置成向大腦2個不同區域傳遞刺激，

c.一個能夠形成復雜的幾何形狀和發射場的相控陣磁場發射元件，其中所述相控陣模式具有杠桿作用，用于誘導位置和時間強度或者

d.一個石墨烯基磁鐵。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于是通過采用最小二乘法、LORETA或重點優化法在跨越大腦的感興趣的頻率處測量EEG能量來確定低能量區域。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于是通過在一個或多個用于繪制EEG能量的頻率處測量Q-因素(頻率曲線的寬度)來確定低能量區域。

13.一種TMS帽子，包括：

a.一個適于戴在患者頭部的帽子基體；

b.具有第一種配置的多個石墨烯磁發射體；

c.具有第二種配置的多個石墨烯磁發射體，其中，當所述發射體激活時，所述石墨烯發射體的布置產生相控陣效應。

14.如權利要求13所述的TMS帽子，其特征在于所述第一種配置是db發射體配置，所述第二種配置是yy發射體配置。

15.如權利要求14所述的TMS帽子進一步包括：

d.多個非接觸式EEG傳感器。

16.一種用于治療神經精神病癥或改善生理功能的重復經顱磁刺激(rTMS)裝置，所述裝置包括多個石墨烯發射體，并配置成使其產生的磁場能夠向戴著所述rTMS裝置的患者大腦的兩個或多個區域傳遞磁刺激。

17.如權利要求16所述的rTMS裝置，其特征在于石墨烯發射體的幾何形狀是相控陣的磁場發射元件，可以實現復雜的幾何形狀和發射場。

18.如權利要求17所述的rTMS裝置，其特征在于所述石墨烯磁發射體包括db發射體和yy發射體。

19.一種TMS帽子，包括：

a.一個適于戴在患者頭部的帽子基體；

b.具有第一種配置的多個石墨烯磁發射體；

c.具有第二種配置的多個石墨烯磁發射體；和

d.多個非接觸式EEG傳感器；

其中，當所述發射體激活時，所述石墨烯發射體的配置形成相控陣效應，并且當所述傳感器激活時所述非接觸式EEG傳感器測量腦波模式。

20.如權利要求19所述的TMS帽子，其中所述第一種配置是db發射體配置，所述第二種配置是yy發射體配置。