[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法以及制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380018848.0
• 申請日: 2013-03-18
• 公開（公告）號: CN104205316A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中敦之;辻崇
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 干欣穎

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及能容易地檢測結(jié)晶缺陷位置的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及制造裝置。

背景技術(shù)

作為下一代半導(dǎo)體材料，期待使用碳化硅(SiC)。由SiC構(gòu)成的半導(dǎo)體元件與目前由硅(Si)構(gòu)成的情況相比，具有以下特征：能將導(dǎo)通狀態(tài)下的元件電阻(導(dǎo)通電阻)降低到幾百分之一、能在200℃以上的高溫環(huán)境下使用等特征。

上述SiC的特征來源于材料本身的優(yōu)異特性。即，SiC具有如下特征：4H－SiC具有3.25eV的帶隙，與Si的1.12eV相比，大概為3倍左右，電場強度為2～4mV/cm，比Si大了將近1位。嘗試著將這種SiC制作成例如二極管等整流器件、晶體管、晶閘管等開關(guān)器件等各種器件。

然而，SiC基板上存在各種結(jié)晶缺陷、錯位，若進一步在SiC基板上形成外延膜，則該結(jié)晶缺陷會有增大的趨勢。在利用該SiC基板形成的肖特基二極管等碳化硅半導(dǎo)體裝置中，該結(jié)晶缺陷是導(dǎo)致耐壓下降、漏電流增加的主要原因。

因此，需要在將SiC基板制作成半導(dǎo)體裝置的階段以前獲取上述結(jié)晶缺陷在晶片面內(nèi)的位置、分別是何種缺陷的信息，提出了該用途的檢查裝置(例如參照下述專利文獻1～3)。專利文獻1、2的技術(shù)利用電致發(fā)光法來檢測結(jié)晶缺陷的分布，專利文獻3的技術(shù)在測定位置照射激勵光或者施加電壓來發(fā)光，并在多個測定位置檢測該發(fā)光，從而獲得結(jié)晶缺陷位置的映射。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2007－318029號公報

專利文獻2：日本專利特開2007－318030號公報

專利文獻3：日本專利特開2007－318031號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

然而，在上述方法中，每一次測定中檢測到的缺陷位置會根據(jù)SiC基板的形狀、SiC基板相對于檢測裝置的設(shè)置位置而產(chǎn)生微妙的偏差。因此，即使使用這種檢查裝置，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，當(dāng)對半導(dǎo)體基板進行分割時，無法容易地對哪個半導(dǎo)體裝置的哪個位置包含結(jié)晶缺陷進行判斷。

本發(fā)明鑒于上述問題，其目的在于能容易地檢測出半導(dǎo)體基板上的結(jié)晶缺陷的位置包含在哪個半導(dǎo)體裝置的哪個位置。

解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下特征。進行形成作為對在半導(dǎo)體基板內(nèi)部制作的芯片的區(qū)域進行規(guī)定的坐標(biāo)位置的基準(zhǔn)的標(biāo)記的工序。并且進行檢測所述半導(dǎo)體基板上的結(jié)晶缺陷的工序、以及基于所述標(biāo)記對檢測出的所述結(jié)晶缺陷的坐標(biāo)位置進行檢測的工序。

其特征還在于，還包括：在所述半導(dǎo)體基板上制作多個半導(dǎo)體裝置時、基于所述坐標(biāo)位置、檢測所述結(jié)晶缺陷包含在多個所述半導(dǎo)體裝置中的哪一個半導(dǎo)體裝置中的工序。

其特征還在于，在檢測所述結(jié)晶缺陷的同時形成所述標(biāo)記。

其特征還在于，在檢測出所述結(jié)晶缺陷后形成所述標(biāo)記。

其特征還在于，使用碳化硅作為所述半導(dǎo)體基板。

其特征還在于，使用氮化鎵作為所述半導(dǎo)體基板。

其特征還在于，利用激光來形成所述標(biāo)記。

其特征還在于，利用光刻來形成所述標(biāo)記。

其特征還在于，利用物理切削來形成所述標(biāo)記。

其特征還在于，對所述半導(dǎo)體基板照射照射光，并基于該照射光的散射、反射、透射來檢測所述結(jié)晶缺陷。

本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造裝置包括：標(biāo)記形成部，該標(biāo)記形成部形成作為對在半導(dǎo)體基板內(nèi)部制作的芯片的區(qū)域進行規(guī)定的坐標(biāo)位置的基準(zhǔn)的標(biāo)記；以及檢查部，該檢查部檢測所述半導(dǎo)體基板上的結(jié)晶缺陷。其特征還在于，所述檢查部基于所述標(biāo)記對檢測出的所述結(jié)晶缺陷的坐標(biāo)位置進行檢測。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體基板上形成作為基準(zhǔn)的標(biāo)記，在檢測半導(dǎo)體基板上的結(jié)晶缺陷時，基于標(biāo)記對檢測到的結(jié)晶缺陷的坐標(biāo)位置進行檢測。由此，在半導(dǎo)體基板上制作多個半導(dǎo)體裝置時，能檢測出哪個半導(dǎo)體裝置的哪個位置包含結(jié)晶缺陷。

發(fā)明效果

若采用上述方法，則具有能容易地檢測出半導(dǎo)體基板上結(jié)晶缺陷的位置包含在哪個半導(dǎo)體裝置的哪個位置的效果。

附圖說明

圖1是表示半導(dǎo)體基板上的標(biāo)記的俯視圖。

圖2是表示半導(dǎo)體基板上的缺陷位置的俯視圖。

圖3是表示半導(dǎo)體基板上制作的芯片陣列的圖。

圖4是表示半導(dǎo)體基板的制造工序的一示例的流程圖。

具體實施方式

下面參照附圖，詳細說明本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及制造裝置的優(yōu)選實施方式。