[發明專利]半導體裝置的制造方法以及制造裝置有效
| 申請號： | 201380018848.0 | 申請日： | 2013-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN104205316A | 公開（公告）日： | 2014-12-10 |
| 發明（設計）人： | 田中敦之;辻崇 | 申請（專利權）人： | 富士電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 干欣穎 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 以及 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：形成作為對在半導體基板內部制作的芯片的區域進行規定的坐標位置的基準的標記的工序；
檢測所述半導體基板上的結晶缺陷的工序；以及
基于所述標記對檢測出的所述結晶缺陷的坐標位置進行檢測的工序。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：在所述半導體基板上制作多個半導體裝置時、基于所述坐標位置、檢測所述結晶缺陷包含在多個所述半導體裝置中的哪一個半導體裝置中的工序。
3.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在檢測所述結晶缺陷的同時形成所述標記。
4.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，在檢測到所述結晶缺陷后形成所述標記。
5.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使用碳化硅作為所述半導體基板。
6.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，使用氮化鎵作為所述半導體基板。
7.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，利用激光來形成所述標記。
8.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，利用光刻來形成所述標記。
9.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，利用物理切削來形成所述標記。
10.如權利要求1至9的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，對所述半導體基板照射照射光，并基于該照射光的散射、反射、透射來檢測所述結晶缺陷。
11.一種半導體裝置的制造裝置，其特征在于，包括：標記形成部，該標記形成部形成作為對在半導體基板內部制作的芯片的區域進行規定的坐標位置的基準的標記；以及
檢查部，該檢查部檢測所述半導體基板上的結晶缺陷，
所述檢查部基于所述標記對檢測出的所述結晶缺陷的坐標位置進行檢測。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
