[發(fā)明專利]金屬箔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380018605.7
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN104271812A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 森山晃正
• 申請（專利權）人: JX日礦日石金屬株式會社
• 主分類號: C25D7/06
• 分類號: C25D7/06;B32B15/08;C25D1/00;C25D1/04;H05K1/09
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

1.一種金屬箔，其在至少一面中的十點平均粗糙度Rz為2.0μm以上且6.0μm以下，且十點平均粗糙度Rz與局部頂點的平均間隔S的比(Rz/S)為2.0以上且6.0以下。

2.如權利要求1所述的金屬箔，其中金屬箔為銅箔。

3.如權利要求1或2所述的金屬箔，其中局部頂點的平均間隔S為0.5μm以上且3.0μm以下。

4.如權利要求1至3中任一項所述的金屬箔，其中十點平均粗糙度Rz相對于凹凸的平均間隔Sm的比(Rz/Sm)為0.5以上且4.0以下。

5.如權利要求1至4中任一項所述的金屬箔，其中凹凸的平均間隔Sm為1.0μm以上且4.0μm以下。

6.如權利要求1至5中任一項所述的金屬箔，其中在所述至少一面形成有由Cu-Zn合金所構成的涂覆層、由Cu-Ni合金所構成的涂覆層、由Co-Ni合金所構成的涂覆層、由Ni-Zn合金所構成的涂覆層、及由Cr氧化物所構成的防銹涂覆層中的任一個或多個的表面涂覆層。

7.如權利要求6所述的金屬箔，其中在表面涂覆層上形成有硅烷偶聯(lián)劑處理層。

8.如權利要求1至7中任一項所述的金屬箔，其中金屬箔為電解銅箔。

9.一種層壓板，其為將根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的金屬箔與樹脂經(jīng)由粘合劑貼合而成。

10.如權利要求9所述的層壓板，其中樹脂為塑料膜。

11.一種配線板，其為將根據(jù)權利要求9或10所述的層壓板的金屬箔部分地蝕刻而形成電路。

12.一種太陽能電池背面保護片材或太陽能電池背面配線片材，其通過加工根據(jù)權利要求9或10所述的層壓板而獲得。

13.一種銅箔的制造方法，其包括如下步驟：向包含銅及硫酸的電解液添加氯離子20～100mg/L、明膠0.2～6.0mg/L、硫脲及活性含硫物質(zhì)的至少1種合計0.01～2.0mg/L，在電流密度10～90A/dm²的條件下使銅電沉積。

14.一種銅箔的制造方法，其包括以下步驟：

制箔步驟：向包含銅及硫酸的電解液添加氯離子20～100mg/L、明膠0.2～6.0mg/L、硫脲及活性含硫物質(zhì)的至少1種合計0.01～2.0mg/L，在電流密度10～90A/dm²的條件下使銅電沉積而獲得未處理銅箔；

表面處理步驟：在所述未處理銅箔的至少一面形成由Cu-Zn合金所構成的涂覆層、由Cu-Ni合金所構成的涂覆層、由Co-Ni合金所構成的涂覆層、由Ni-Zn合金所構成的涂覆層、及由Cr氧化物所構成的防銹涂覆層中的任一個或多個的表面涂覆層之后，在所述表面涂覆層上形成硅烷偶聯(lián)劑層。

15.一種銅箔的制造方法，其包括以下步驟：

制箔步驟：向包含銅及硫酸的電解液添加氯離子20～100mg/L、明膠0.2～6.0mg/L、硫脲及活性含硫物質(zhì)的至少1種合計0.01～2.0mg/L，在電流密度10～90A/dm²的條件下使銅電沉積而獲得未處理銅箔；

表面處理步驟：對所述未處理銅箔的至少一面進行粗化處理之后，形成由Cu-Zn合金所構成的涂覆層、由Cu-Ni合金所構成的涂覆層、由Co-Ni合金所構成的涂覆層、由Ni-Zn合金所構成的涂覆層、及由Cr氧化物所構成的防銹涂覆層中的任一個或多個的表面涂覆層，繼而在所述表面涂覆層上形成硅烷偶聯(lián)劑層。

16.一種層壓板的制造方法，其包括將通過如權利要求13至15中任一項所述的制造方法所制造的銅箔與樹脂經(jīng)由粘合劑貼合的步驟。